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沙特阿拉伯阿卜杜拉国王科技大学Iman S. ROQAN：原位无位错多晶GaN层在宽范围衬底上生长高效率的无催化剂GaN纳米线
 评论 ⋅  2020-12-23 15:27
澳大利亚格里菲斯大学Jisheng HAN：4H-SiC MOS器件中活性缺陷的量化表征
 评论 ⋅  2020-12-23 15:25
日本名古屋大学宇治原徹：CFD模拟预测系统在SiC生长中的应用
 评论 ⋅  2020-12-23 15:22
华北电力大学李学宝：高压SiC器件中的封装绝缘问题研究
 评论 ⋅  2020-12-17 17:44
重庆大学曾正:碳化硅功率模块的先进封装测试技术
 评论 ⋅  2020-12-17 17:39
浙江大学任娜：SiC功率器件短路、雪崩、浪涌等系列可靠性问题的研究
 评论 ⋅  2020-12-17 17:27
厦门大学邱宇峰教授：碳化硅功率半导体器件在电力系统中的应用
 评论 ⋅  2020-12-17 17:17
中山大学黎城朗：凹槽深度对GaN槽栅型纵向导通晶体管电学特性的影响研究
 评论 ⋅  2020-12-16 18:30
电子科技大学教授周琦：基于超薄势垒AlGaN/GaN异质结与混合阳极二极管技术的功率整流器与微波混频器
 评论 ⋅  2020-12-16 18:23
北京大学尹瑞苑：氮化镓MIS结构界面相关陷阱态：物性、表征及模型
 评论 ⋅  2020-12-16 18:17
南方科技大学于洪宇：Si基GaN功率器件及其上电源系统的关键技术研究进展
 评论 ⋅  2020-12-16 18:05
山东大学张雷：温度梯度对PVT法生长AlN晶体的影响
 评论 ⋅  2020-12-15 16:06
郑州大学刘玉怀：金刚石衬底上六方相氮化硼薄膜的有机金属气相外延
 评论 ⋅  2020-12-15 16:01
西安交通大学李强:磁控溅射沉积hBN薄膜的最新进展
 评论 ⋅  2020-12-14 17:38
湖北大学何云斌:高性能基于氧化镓的日盲光电探测器的开发
 评论 ⋅  2020-12-14 17:23
西安电子科技大学李杨：用于无线充电和功率传输的基于GaN肖特基势垒二极管的微波整流器
 评论 ⋅  2020-12-11 16:15
南方科技大学汪青：Si基GaN射频器件的关键技术研究进展
 评论 ⋅  2020-12-11 16:08
复旦大学黄伟：面向5G/卫星通信的化合物射频芯片技术
 评论 ⋅  2020-12-11 15:48
日本国立佐贺大学郭其新：超宽带隙氧化镓的低温生长和表征
 评论 ⋅  2020-12-11 15:32
南京大学周玉刚：UV LED固化光纤制造领域的技术应用现状及机会展望
 评论 ⋅  2020-12-10 15:30
复旦大学田朋飞：基于GaN的可用于固态照明、显示和双向可见光通信的多功能器件
 评论 ⋅  2020-12-09 18:28
北京大学杨学林：硅衬底上氮化物大失配异质外延生长
 评论 ⋅  2020-12-09 16:33
深圳大学刘新科：大面积MoS2-on-GaN范德华异质结的光子器件应用
 评论 ⋅  2020-12-09 15:58
北京大学康俊杰：面向消毒应用的超高功率深紫外光源
 评论 ⋅  2020-12-09 09:41
湖北大学黎明锴：Hf掺杂SnO2实现高性能日盲紫外光探测器
 评论 ⋅  2020-12-08 16:00
厦门大学蔡端俊:氯离子局域场驱动的快速除氢p型增强技术及深紫外LED效率提升
 评论 ⋅  2020-12-07 16:41
南方科技大学孙小卫：量子点显示技术研究进展
 评论 ⋅  2020-12-07 16:28
北京大学陈志忠:Micro-LED大注入条件下的多体效应研究
 评论 ⋅  2020-12-07 16:13
南京大学刘斌：具有GaN隧道结的高效率绿光微型LEDs的PA-MBE制备
 评论 ⋅  2020-12-07 16:01
天津工业大学于莉媛：GaN基器件电子辐照诱生缺陷表征和性能分析
 评论 ⋅  2020-12-03 18:02
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