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南京大学郑有炓教育基金获捐设立
 评论 ⋅  2022-01-01 13:45
上海市与清华大学共建创新中心，启动集成电路芯片攻关和AI社会实验
上海市清华大学创新中心集成电路芯片AI社会实验
 评论 ⋅  2021-12-29 07:56
复旦大学袁泽兴：基于玻璃封装高稳定钙钛矿纳米晶色转换材料的高速水下无线光通信
 评论 ⋅  2021-12-27 14:37
华南理工大学李国强教授：可见光通信系统中核心元器件研究
 评论 ⋅  2021-12-27 14:10
丹麦技术大学副教授欧海燕：碳化硅，一种新型的集成光子和量子集成光子平台
碳化硅新型集成光子量子集成光子平台欧海燕
 评论 ⋅  2021-12-27 13:30
重庆邮电大学成功研发第三代半导体功率芯片
重庆邮电大学成功研发第三代半导体功率芯片
 评论 ⋅  2021-12-24 15:16
北京大学物理学院教授于彤军：大尺寸AlN单晶的同质PVT生长研究
 评论 ⋅  2021-12-23 16:46
深圳大学物理与光电工程学院副院长武红磊：氮化铝晶体PVT生长装置及技术研究
 评论 ⋅  2021-12-23 16:44
厦门大学校长张荣教授：宽禁带半导体全面支撑光电子技术的可持续发展
厦门大学校长张荣教授宽禁带半导体光电子技术
 评论 ⋅  2021-12-20 16:19
西安电子科技大学刘志宏：面向移动SoC应用的氮化镓射频器件研究进展
 评论 ⋅  2021-12-14 14:44
日本德岛大学教授敖金平：转换效率超过91%的基于GaN肖特基势垒二极管的微波整流器
 评论 ⋅  2021-12-14 14:40
中国科技大学Alsaman A. amgad：HEMT器件通道内2DEG电荷的空间非均匀性
 评论 ⋅  2021-12-14 14:34
北京大学物理学院杨学林：Si衬底上GaN基功率电子材料及器件研究
 评论 ⋅  2021-12-13 11:52
加拿大多伦多大学教授吴伟东：GaN功率晶体管和功率模块的智能栅极驱动器
 评论 ⋅  2021-12-13 11:51
西交利物浦大学王惟生：使用E/D模式AlGaN/GaN的单片比较器用于高温应用的MIS-HEMT
 评论 ⋅  2021-12-13 11:47
西安电子科技大学王婷婷：基于金属氮化物阳极的凹槽双阳极SBD研究
 评论 ⋅  2021-12-13 11:44
南方科技大学深港微电子学院汪青：GaN器件及其系统的最新研究进展
 评论 ⋅  2021-12-13 11:41
深圳大学微电子研究院刘新科：2寸独立晶圆上1.7 kV垂直GaN-on-GaN肖特基势垒二极管
 评论 ⋅  2021-12-13 11:39
电子科技大学李曦：GaN HEMT功率器件的热瞬态测试方法与机理研究
 评论 ⋅  2021-12-13 11:29
北京大学许福军：高质量AlN实现路径探索及深紫外发光器件应用
 评论 ⋅  2021-12-11 16:08
北京大学王柳冰：通过引入透明复合p型层和Ag纳米点/Al反射电极相结合提高深紫外LED的光提取效率
 评论 ⋅  2021-12-11 16:06
西安电子科技大学宁静：基于维度调控的GaN紫外LED及光电集成
 评论 ⋅  2021-12-11 16:04
厦门大学黄凯：紫外光电器件中的极化激元和等离激元研究
 评论 ⋅  2021-12-11 16:02
中山大学江灏：利用界面效应的高Al组分AlGaN的高效p型掺杂及其深紫外光电探测应用
 评论 ⋅  2021-12-11 16:01
西安电子科技大学袁海东：β-Ga2O3/2D异质结界面性能调控及其潜在应用
 评论 ⋅  2021-12-10 17:19
山东大学徐明升：基于金刚石金属半导体场效应晶体管的日盲探测器
 评论 ⋅  2021-12-10 17:16
西安交通大学王艳丰：大面积单晶金刚石及场效应晶体管的研究
 评论 ⋅  2021-12-10 17:13
郑州大学刘玉怀：六方氮化硼薄膜在不同衬底上的生长研究综述
 评论 ⋅  2021-12-10 17:11
西安交通大学李强：hBN薄膜的制备与应用
 评论 ⋅  2021-12-10 17:08
南京大学况悦：κ-Ga2O3/In2O3 同型异质结构的能带排列和界面弯曲
 评论 ⋅  2021-12-10 17:06
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