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重庆邮电大学成功研发第三代半导体功率芯片
重庆邮电大学成功研发第三代半导体功率芯片
 评论 ⋅  2021-12-24 15:16
北京大学物理学院教授于彤军：大尺寸AlN单晶的同质PVT生长研究
 评论 ⋅  2021-12-23 16:46
深圳大学物理与光电工程学院副院长武红磊：氮化铝晶体PVT生长装置及技术研究
 评论 ⋅  2021-12-23 16:44
厦门大学校长张荣教授：宽禁带半导体全面支撑光电子技术的可持续发展
厦门大学校长张荣教授宽禁带半导体光电子技术
 评论 ⋅  2021-12-20 16:19
西安电子科技大学刘志宏：面向移动SoC应用的氮化镓射频器件研究进展
 评论 ⋅  2021-12-14 14:44
日本德岛大学教授敖金平：转换效率超过91%的基于GaN肖特基势垒二极管的微波整流器
 评论 ⋅  2021-12-14 14:40
中国科技大学Alsaman A. amgad：HEMT器件通道内2DEG电荷的空间非均匀性
 评论 ⋅  2021-12-14 14:34
北京大学物理学院杨学林：Si衬底上GaN基功率电子材料及器件研究
 评论 ⋅  2021-12-13 11:52
加拿大多伦多大学教授吴伟东：GaN功率晶体管和功率模块的智能栅极驱动器
 评论 ⋅  2021-12-13 11:51
西交利物浦大学王惟生：使用E/D模式AlGaN/GaN的单片比较器用于高温应用的MIS-HEMT
 评论 ⋅  2021-12-13 11:47
西安电子科技大学王婷婷：基于金属氮化物阳极的凹槽双阳极SBD研究
 评论 ⋅  2021-12-13 11:44
南方科技大学深港微电子学院汪青：GaN器件及其系统的最新研究进展
 评论 ⋅  2021-12-13 11:41
深圳大学微电子研究院刘新科：2寸独立晶圆上1.7 kV垂直GaN-on-GaN肖特基势垒二极管
 评论 ⋅  2021-12-13 11:39
电子科技大学李曦：GaN HEMT功率器件的热瞬态测试方法与机理研究
 评论 ⋅  2021-12-13 11:29
北京大学许福军：高质量AlN实现路径探索及深紫外发光器件应用
 评论 ⋅  2021-12-11 16:08
北京大学王柳冰：通过引入透明复合p型层和Ag纳米点/Al反射电极相结合提高深紫外LED的光提取效率
 评论 ⋅  2021-12-11 16:06
西安电子科技大学宁静：基于维度调控的GaN紫外LED及光电集成
 评论 ⋅  2021-12-11 16:04
厦门大学黄凯：紫外光电器件中的极化激元和等离激元研究
 评论 ⋅  2021-12-11 16:02
中山大学江灏：利用界面效应的高Al组分AlGaN的高效p型掺杂及其深紫外光电探测应用
 评论 ⋅  2021-12-11 16:01
西安电子科技大学袁海东：β-Ga2O3/2D异质结界面性能调控及其潜在应用
 评论 ⋅  2021-12-10 17:19
山东大学徐明升：基于金刚石金属半导体场效应晶体管的日盲探测器
 评论 ⋅  2021-12-10 17:16
西安交通大学王艳丰：大面积单晶金刚石及场效应晶体管的研究
 评论 ⋅  2021-12-10 17:13
郑州大学刘玉怀：六方氮化硼薄膜在不同衬底上的生长研究综述
 评论 ⋅  2021-12-10 17:11
西安交通大学李强：hBN薄膜的制备与应用
 评论 ⋅  2021-12-10 17:08
南京大学况悦：κ-Ga2O3/In2O3 同型异质结构的能带排列和界面弯曲
 评论 ⋅  2021-12-10 17:06
郑州大学Mussaab I. Niass：蓝宝石衬底上BGaN基深紫外边发射激光二极管的仿真研究
 评论 ⋅  2021-12-10 17:04
美国康奈尔大学教授Huili Grace XING：对抗氮化镓和碳化硅的氧化镓功率器件Ga2O3
 评论 ⋅  2021-12-10 16:42
郑州大学Muhammad Nawaz Sharif：铟摩尔分数对InGaN基近紫外发光二极管光学性能的影响
 评论 ⋅  2021-12-10 15:35
哈尔滨工业大学赵丽丽：低成本碳化硅单晶材料产业化技术研究
 评论 ⋅  2021-12-10 14:14
复旦大学张园览：基于P区反序掺杂策略的高效碳化硅结势垒肖特基二极管的研究
复旦大学张园览高效碳化硅结势垒肖特基二极管
 评论 ⋅  2021-12-10 12:10
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