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北京大学电子学院陈景标研究团队在原子钟领域取得重要突破
 评论 ⋅  2024-10-14 09:25
北京大学深圳研究生院在高性能低维柔性电子集成方向取得重要进展
 评论 ⋅  2024-10-08 09:01
北京大学王新强教授团队：推动高功率UVC-LED晶圆进入低成本4英寸时代！
 评论 ⋅  2024-09-12 20:45
北京大学在GaN功率器件可靠性与集成技术方面取得系列进展
 评论 ⋅  2024-07-12 22:09
北京大学申请金刚石基氮化物半导体异质结构制备方法专利，能够得到高质量且低热阻的金刚石基氮化物半导体异质结构
 评论 ⋅  2024-07-01 16:06
北京大学申请多沟道GaN基HEMT专利，降低导通电阻进而降低损耗
 评论 ⋅  2024-06-03 16:44
CASICON晶体大会前瞻 |北京大学教授沈波：AlN单晶衬底和外延薄膜的制备
 评论 ⋅  2024-05-30 10:10
北京大学郑州新材料高等研究院项目开工
 评论 ⋅  2024-05-21 09:12
北京大学申请多沟道GaN基HEMT专利，降低导通电阻进而降低损耗
 评论 ⋅  2024-04-30 16:27
CSPSD 2024成都前瞻|北京大学魏进：如何使GaN功率器件如Si MOSFET一样简单易用？
 评论 ⋅  2024-04-15 16:35
北京大学取得AlGaN基深紫外发光二极管器件结构及其制备方法专利，显著提升器件的光输出功率
 评论 ⋅  2024-04-08 19:10
北京大学申请p沟道氮化镓异质结晶体管及其制备方法专利，实现电流密度的增加
 评论 ⋅  2024-03-26 18:37
北京大学申请长波长InGaN基发光二极管专利，有利于提高发光多量子阱中的铟并入
 评论 ⋅  2024-03-25 10:36
北京大学集成电路学院半导体器件参数测量仪采购项目公开招标公告
 评论 ⋅  2024-03-21 11:42
北京大学申请大尺寸高热导率III族氮化物外延材料的制备方法专利，提高整个异质集成结构的热导率
 评论 ⋅  2024-03-06 10:13
北京大学申请碳化硅平面栅MOSFET器件及其制备方法专利，能够降低器件的沟道电阻
 评论 ⋅  2024-02-06 14:15
北京大学申请高动态稳定性GaN器件专利，提高GaN HEMT的动态稳定性
 评论 ⋅  2024-01-17 10:07
北京大学集成电路学院招聘专技2人，2.10截止
 评论 ⋅  2024-01-08 15:51
北京大学申请半导体器件结构专利
 评论 ⋅  2023-12-27 16:53
北京大学教授于彤军：大尺寸AlN单晶生长研究
 评论 ⋅  2023-12-27 13:55
北京大学申请GaN与碳纳米管CMOS电路专利
 评论 ⋅  2023-12-18 15:47
北京大学无锡EDA研究院，揭牌！
 评论 ⋅  2023-12-14 19:16
北京大学无锡EDA研究院在无锡高新区揭牌
 评论 ⋅  2023-12-14 16:14
SSLCHINA2023│北京大学教授陈志忠：利用沟槽结构生长高效率InGaN红光
 评论 ⋅  2023-11-27 22:08
东科与北京大学成立第三代半导体联合研发中心
 评论 ⋅  2023-09-18 19:37
CASICON 2023前瞻北京大学副教授许福军：AlGaN基深紫外发光材料和器件研究
 评论 ⋅  2023-07-13 11:11
北京大学许福军、沈波团队实现了接近体块级质量的III族氮化物异质外延膜
北京大学III族氮化物外延层薄膜宽禁带半导体
 评论 ⋅  2023-06-25 08:05
北京大学攻克激光雷达抗干扰和高精度并行探测两个世界性难题
 评论 ⋅  2023-04-13 17:44
南京市与北京大学、东南大学签署合作协议，聚焦集成电路等领域
 评论 ⋅  2023-03-22 16:24
北京大学在氧化物半导体器件方向取得系列重要进展
 评论 ⋅  2023-02-20 19:32
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