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光驰半导体原子层镀膜与刻蚀镀膜项目竣工 总投资5.48亿元
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光刻机制造商ASML扩建计划获表决通过
新微半导体“一种HEMT器件的栅极、HEMT器件及其制备方法”专利获授权
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