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半导体产业基地项目
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MOSFET器件及其制备方法”专利获授权
华羿微电申请高性能 MOSFET
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器件外延设计结构专利,降低
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模块中的应用
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半导体激光器晶圆P面图形化电镀金的方法专利
派恩杰“集成ESD的SiC
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MOSFET器件及制备方法”专利获授权
芯聚能“
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模块外壳”专利获授权
全球最高
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密度!纳微全新4.5kW服务器电源方案正式发布
全球SiC和GaN
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半导体市场2034年将增至110.8亿美元
清华大学
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半导体用氮化硅基板烧结装备研制项目签约湖南企业
高可靠性高
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半导体器件IDM项目在宜兴签约 总投资约30亿元
总投资约30亿!宜兴又签约一项
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半导体器件项目
北京大学在GaN
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器件可靠性与集成技术方面取得系列进展
CASAS SiC
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器件与模块工作组第二次会议成功召开
力量钻石半导体高
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金刚石散热材料项目签约仪式在睢阳高新区成功举行
7.8亿元,江苏容泰
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半导体项目竣工投产
桑德斯微电子(SMC)大
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半导体晶圆项目通线,年产约150万片
清纯半导体“半导体
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器件及其制备方法”专利公布
复旦大学IGBT
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循环测试仪器(第二次)国际招标公告
三安半导体“氮化镓
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器件的制备方法、氮化镓
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器件”专利公布
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模块”专利获授权
北京将提升智慧能源供应保障能力 推进大
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充电设施建设
中车中低压
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器件产业化(株洲)项目桩基建设启动 总投资52.9亿元
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