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第三代半导体材料氮化镓发展历程及
制备
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南京大学刘斌:具有GaN隧道结的高效率绿光微型LEDs的PA-MBE
制备
全球首台:苏大维格大型紫外3D直写光刻设备iGrapher3000投入运行
光刻
形貌
制备
光电子
器件
结构
全球首台:苏大维格大型紫外3D直写光刻设备iGrapher3000投入运行
光刻
形貌
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光电子
器件
结构
科研人员
制备
出具有宽谱带白光发射的非铅钙钛矿胶体纳米晶
制备
宽谱带
白光发射
非铅钙钛矿
胶体
纳米晶
我国碳基半导体
制备
材料研制获重要突破
我国碳基半导体
制备
材料取得关键性突破
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