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芯聚能“碳化硅MOSFET器件及其制备方法”专利公布
 评论 ⋅  2024-07-08 13:24
三安半导体“氮化镓功率器件的制备方法、氮化镓功率器件”专利公布
 评论 ⋅  2024-07-03 15:11
北京大学申请金刚石基氮化物半导体异质结构制备方法专利，能够得到高质量且低热阻的金刚石基氮化物半导体异质结构
 评论 ⋅  2024-07-01 16:06
CASICON晶体大会前瞻|北京化工大学张纪才:（11-22）AlN材料的HVPE生长及其二极管制备研究
 评论 ⋅  2024-06-17 11:05
新微半导体“一种HEMT器件的栅极、HEMT器件及其制备方法”专利获授权
 评论 ⋅  2024-06-12 16:15
CASICON晶体大会前瞻 |北京大学教授沈波：AlN单晶衬底和外延薄膜的制备
 评论 ⋅  2024-05-30 10:10
CASICON晶体大会前瞻 |西安交通大学李强：六方氮化硼薄膜制备及器件应用
 评论 ⋅  2024-05-29 14:57
CSPSD 2024成都前瞻|电子科技大学巫江：基于化合物半导体异质结的高性能器件设计与制备
 评论 ⋅  2024-04-22 10:14
CSPSD 2024成都前瞻|广东工业大学张紫辉：GaN功率半导体器件仿真建模与制备研究
 评论 ⋅  2024-04-18 13:41
青禾晶元突破8英寸SiC键合衬底制备！
 评论 ⋅  2024-04-15 13:17
北京大学取得AlGaN基深紫外发光二极管器件结构及其制备方法专利，显著提升器件的光输出功率
 评论 ⋅  2024-04-08 19:10
大连理工大学“氮化镓气体传感器及其制备方法、应用”专利公布
 评论 ⋅  2024-03-29 11:10
清华大学申请半导体装置的制备方法、半导体装置和电子设备专利
 评论 ⋅  2024-03-27 14:29
北京大学申请p沟道氮化镓异质结晶体管及其制备方法专利，实现电流密度的增加
 评论 ⋅  2024-03-26 18:37
华为公司申请半导体器件及其制备方法专利，降低半导体器件的功率损耗
 评论 ⋅  2024-03-22 17:30
哈工大郑州研究院在CVD法制备纯净分散纳米金刚石技术领域取得重要进展
 评论 ⋅  2024-03-14 19:55
丰田合成、大阪大学等 成功制备6吋GaN衬底
 评论 ⋅  2024-03-11 16:54
化学所在制备强荧光二维共轭聚合物半导体材料方面获进展
 评论 ⋅  2024-03-07 14:10
北京大学申请大尺寸高热导率III族氮化物外延材料的制备方法专利，提高整个异质集成结构的热导率
 评论 ⋅  2024-03-06 10:13
扬杰科技申请高封装功率密度的GaNHEMT器件及其制备方法专利
 评论 ⋅  2024-03-04 17:01
晶合集成取得半导体器件及其制备方法专利，改善电阻Rc并提高良率
 评论 ⋅  2024-02-29 11:37
芯导科技申请TrenchMOSFET器件的自对准的制备方法专利，进一步缩小了接触孔沿沟道方向尺寸
 评论 ⋅  2024-02-28 17:32
武汉新芯“半导体器件及其制备方法”专利公布
 评论 ⋅  2024-02-23 11:38
晶合集成申请半导体结构及其制备方法专利
 评论 ⋅  2024-02-23 09:55
北京大学申请碳化硅平面栅MOSFET器件及其制备方法专利，能够降低器件的沟道电阻
 评论 ⋅  2024-02-06 14:15
长电科技申请光电芯片互联封装结构及其制备方法专利
 评论 ⋅  2024-01-31 17:57
电子科技大学氮化物宽禁带半导体晶体生长系统配件与制备耗材采购项目竞争性磋商采购公告
 评论 ⋅  2024-01-16 14:13
比亚迪半导体申请半导体器件终端结构、制备方法及半导体器件专利
 评论 ⋅  2024-01-09 10:21
IFWS 2023│ 中国电子科技集团第四十六研究所孙杰：高导热GaN/金刚石结构制备及器件性能
 评论 ⋅  2023-12-05 16:53
SSLCHINA2023│河北工业大学徐庶：量子点氧化物复合材料的制备及LED应用
 评论 ⋅  2023-11-27 21:48
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