首页 > 新闻资讯 > 搜索
长鑫存储申请半导体结构及制备方法专利，提高集成电路的存储密度
 评论 ⋅  2024-10-31 13:57
扬杰电子申请新型多级沟道SiC MOSFET元胞结构与制造方法专利，方法制作工艺简单
 评论 ⋅  2024-10-29 18:01
荣耀“封装芯片结构及其加工方法、和电子设备”专利获授权
 评论 ⋅  2024-10-29 11:02
苏州敏芯微电子申请力传感器的封装结构及其制造方法专利，解决现有力传感器力传递灵敏度低的问题
 评论 ⋅  2024-10-28 17:54
广东气派科技申请 MOSFET 的封装结构专利，采用封装结构得到的 MOSFET 散热性能佳
 评论 ⋅  2024-10-24 10:02
长电科技“腔体式封装结构及封装方法”专利获授权
 评论 ⋅  2024-10-18 16:18
长电科技“腔体式封装结构及封装方法”专利获授权
 评论 ⋅  2024-10-17 14:43
格兰菲申请功率半导体器件结构及其制备方法专利，有利于终端区面积缩小
 评论 ⋅  2024-10-11 10:53
臻驱半导体施工总承包项目厂房主体结构顺利封顶
 评论 ⋅  2024-09-25 21:11
提前4个月！“芯庐州”集成电路产业园（一期）项目主体结构全面封顶
 评论 ⋅  2024-09-23 06:40
上海壁仞科技取得封装结构专利，提高散热性能
 评论 ⋅  2024-09-20 11:00
晶合集成申请一种半导体结构的制作方法及动态调整系统专利，提高半导体结构的良率
 评论 ⋅  2024-09-19 17:13
威迈芯材年产100吨半导体高端光刻材料项目主体结构全面封顶
 评论 ⋅  2024-09-14 15:49
芯导科技申请一种 T 型沟槽栅碳化硅 MOSFET 器件结构及其制备方法专利，提高了栅极可靠性
 评论 ⋅  2024-09-12 16:50
上海积塔半导体申请半导体结构相关专利，避免因相邻膜层刻蚀选择比过大形成底切结构
 评论 ⋅  2024-09-11 14:14
三责新材二期半导体设备用高精度结构陶瓷产业化项目厂房封顶
 评论 ⋅  2024-09-06 17:08
士兰微“功率封装结构及其引线框”专利获授权
 评论 ⋅  2024-09-06 11:59
盛合晶微半导体（江阴）申请 3D 垂直互连封装结构及其制备方法专利，实现高密度封装
 评论 ⋅  2024-09-04 14:55
中图科技申请一种高深度微结构图形化半导体衬底及其制备方法专利
 评论 ⋅  2024-08-30 17:55
苏州晶湛半导体取得半导体结构及其形成方法专利，提高半导体外延层的性能
 评论 ⋅  2024-08-29 10:52
利普思半导体“一种功率模块结构”专利公布
 评论 ⋅  2024-08-16 09:56
豪纬集团申请一种基于微纳阵列结构 GaN 基光电子芯片的制备方法专利，有效提高微纳结构中有源层的发光效率
 评论 ⋅  2024-08-13 16:14
扬州晶圆级芯粒先进封装基地项目主体结构封顶
 评论 ⋅  2024-08-13 12:37
华羿微电申请高性能 MOSFET 功率器件外延设计结构专利，降低功率器件制造成本
 评论 ⋅  2024-08-05 17:20
芯联集成“沟槽型功率器件结构及其制造方法”专利公布
 评论 ⋅  2024-08-05 16:03
年产18亿片！晶引电子项目一期完成主体结构验收
 评论 ⋅  2024-08-02 10:54
总投资1.5亿元，诺天科技碳化硅半导体设备与基材生产基地项目主体结构封顶
 评论 ⋅  2024-07-11 18:11
北京大学申请金刚石基氮化物半导体异质结构制备方法专利，能够得到高质量且低热阻的金刚石基氮化物半导体异质结构
 评论 ⋅  2024-07-01 16:06
长光华芯申请高功率半导体激光芯片性能评估及结构优化方法专利，有效提高评估结果准确度
 评论 ⋅  2024-06-04 15:48
光来精密电子项目月底前主体结构就可实现全部封顶
 评论 ⋅  2024-05-21 16:55
   首页   下一页   上一页   尾页 
联系客服 投诉反馈  顶部