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广州南砂晶圆半导体技术取得交流电阻加热器及SiC单晶生长装置专利，提高晶体生长速度且有助于4H‑SiC晶型稳定
 评论 ⋅  2024-11-12 15:39
安徽长飞先进半导体申请半导体器件相关专利，使半导体器件获得更好的散热结构以及更低的电阻率
 评论 ⋅  2024-11-04 15:27
扬杰科技申请一种多导电沟道的平面栅 MOSFET 及制备方法专利，降低平面栅垂直导电 MOSFET 导通电阻
 评论 ⋅  2024-09-19 17:07
标准 | 2项GaN HEMT动态导通电阻测试标准形成委员会草案
 评论 ⋅  2024-07-26 11:01
北京大学申请多沟道GaN基HEMT专利，降低导通电阻进而降低损耗
 评论 ⋅  2024-06-03 16:44
昕感科技推出兼容15V栅压驱动的1200V/13mΩ低导通电阻SiC MOSFET
 评论 ⋅  2024-05-10 16:37
北京大学申请多沟道GaN基HEMT专利，降低导通电阻进而降低损耗
 评论 ⋅  2024-04-30 16:27
《用于零电压软开通电路的GaN HEMT动态导通电阻测试方法》等两项团体标准形成征求意见稿
 评论 ⋅  2024-04-22 15:07
《用于零电压软开通电路的GaN HEMT动态导通电阻测试方法》等两项团体标准形成征求意见稿
 评论 ⋅  2024-04-16 15:54
《用于零电压软开通电路的GaN HEMT动态导通电阻测试方法》等两项团体标准形成征求意见稿
 评论 ⋅  2024-04-07 19:21
晶合集成取得半导体器件及其制备方法专利，改善电阻Rc并提高良率
 评论 ⋅  2024-02-29 11:37
北京大学申请碳化硅平面栅MOSFET器件及其制备方法专利，能够降低器件的沟道电阻
 评论 ⋅  2024-02-06 14:15
科友半导体董事长赵丽丽：电阻炉八英寸碳化硅制备技术探索
 评论 ⋅  2023-03-13 17:34
CASA发布《分立GaN HEMT功率器件动态电阻评估》技术报告
 评论 ⋅  2022-12-09 16:50
中镓半导体：挑战最高GaN体电阻率，开发更高电阻率的半绝缘GaN自支撑衬底
 评论 ⋅  2022-11-25 17:53
东南大学牵头起草的《分立GaN HEMT功率器件动态电阻评估》技术报告已形成委员会草案
 评论 ⋅  2022-11-21 15:29
东南大学牵头起草的《分立GaN HEMT功率器件动态电阻评估》技术报告已形成委员会草案
 评论 ⋅  2022-11-11 15:26
东南大学牵头起草《分立GaN HEMT功率器件动态电阻评估》技术报告征求意见
 评论 ⋅  2022-10-17 17:17
标准 | 电子五所牵头的T/CASAS 005《用于硬开关电路的GaN HEMT动态导通电阻测试方法》形成委员会草案
 评论 ⋅  2022-07-20 15:48
科友半导体应用电阻长晶炉突破高速率高品质SiC晶体生长的关键技术
 评论 ⋅  2022-06-29 16:55
恒普科技量产推出新一代2.0版SiC电阻晶体生长炉
恒普科技SiC晶体生长SiC电阻晶体生长炉晶体电阻炉
 评论 ⋅  2022-06-17 15:00
【CASICON 2021】西安交通大学李强：大面积hBN薄膜制备及 电阻开关特性研究
 评论 ⋅  2021-09-17 16:33
富信半导体投资10亿元扩产片式电阻，月产250亿只
富信半导体投资片式电阻富捷电阻
 评论 ⋅  2021-03-26 17:01
利用常用的微控制器设计技术更大限度地提高热敏电阻精度
热敏电阻温度器件温度传感器电阻监测
 评论 ⋅  2020-09-14 03:53
干货 | 提高电力线监控应用的系统级性能和可靠性
传感器增益电阻断开误差所示
 评论 ⋅  2020-09-07 06:12
贸泽电子线上电阻色码计算器 ——工程师省时省力的好帮手
提供工程师设计计算器产品电子元器件
 评论 ⋅  2020-09-03 06:03
非常见问题：RMS功率与平均功率
电压功率正弦峰峰波形电阻
 评论 ⋅  2020-08-19 03:33
这11个经典电路，把运算放大器运用得出神入化！
电流电压电路输入流过电阻
 评论 ⋅  2020-07-13 06:14
电路级静电防护设计技巧与ESD防护方法
放电静电压敏电阻电阻防护电流
 评论 ⋅  2020-07-09 06:01
Bourns推出三款全新高功率额定型厚膜电阻器系列产品
电阻器功率系列提供组件公制
 评论 ⋅  2020-06-09 08:43
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