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高速绿光Micro LED
技术
获新突破 传输速度达5Gbps
北京丰台区:十四五时期聚焦前沿
技术
和器件研发,支持新型光器件产业化
市场是
技术
检验的最好“试金石”,兆驰半导体以
技术
创新催生发展新动能
拜登政府更新关键和新兴
技术
清单,新增5类
技术
三星上半年量产首代3纳米GAA
技术
制程,第二代制程研发中
南方电网推出国产电力专用芯片“伏羲”:基于自主 CPU 内核和封测
技术
成都岷山功率半导体
技术
研究院成立,张波教授任专家委员会理事长
PingWest品玩 鸿海今年将发展第三代半导体
技术
,建立机器人制造平台:布局 3+3 战略
北京市长陈吉宁:推动集成电路、人工智能等领域“卡脖子”
技术
实现新突破
《“十四五”国家信息化规划》发布,加快集成电路关键
技术
攻关
DB HiTek 将采用硅基氮化镓
技术
改进 8 英寸半导体工艺
DB
HiTek
硅基
氮化镓
8英寸
半导体工艺
国家第三代半导体
技术
创新中心研发与产业化基地开工
国家
第三代半导体
技术创新中心
产业化基
苏州纳米城
首场元宇宙体系架构、关键
技术
及产业发展与布局培训班即将开班
剥离转移良率接近100%,上海芯元基突破Micro LED芯片量产关键
技术
江苏第三代半导体研究院:推动产业创新能力整体跃升
江苏第三代半导体研究院
第三代半导体
技术创新中心
深圳大学物理与光电工程学院副院长武红磊:氮化铝晶体PVT生长装置及
技术
研究
日本产业
技术
综合研究所沈旭强:无氨高温 MOCVD 生长的高质量极性和半极性氮化铝
中科院宁波材料
技术
与工程研究所陈荔:基于蓝宝石衬底的半极性面AlN外延及高温热处理研究
最新关注 氮化物半导体衬底与外延
技术
进展
厦门大学校长张荣教授:宽禁带半导体全面支撑光电子
技术
的可持续发展
厦门大学
校长
张荣
教授
宽禁带半导体
光电子技术
上海瞻芯电子杨义:SiC MOSFET多管并联均流驱动
技术
探讨
浙江老鹰半导体莫庆伟:VCSEL
技术
发展及其在智能感测与汽车雷达中的应用
广东晶科电子何贵平:车规LED
技术
进阶及新产品形态
中科院半导体研究所张连:亚毫米波段GaN基HEMT与选区外延
技术
研究
韩国Wavice Inc首席
技术
官Sangmin LEE:i-line步进器实现的具有各种栅极尺寸的GaN HEMT器件的性能和可靠性
美国Analog设备张薇葭:基于直接键合工艺液冷散热
技术
的紧凑型氮化镓功率模块设计及其热学模型研究
元宇宙时代,Mini/Micro-LED
技术
产业应用发展趋势
港科
技术
(佛山)董国帅:峰值波长为 222nm 的远紫外线KrCl准分子灯的活化能和寿命研究
艾欧史密斯(中国)陈小波:紫外杀菌
技术
在净水器中的应用研究
应用潜力不断释放 固态紫外材料与器件
技术
最新进展
第
21
页/共
37
页
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