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广东巨风半导体取得IGBT模块专利，提高模块性能
 评论 ⋅  2024-11-12 15:49
联合微电子中心取得一种半导体器件专利，提升半导体器件性能
 评论 ⋅  2024-11-09 11:58
飞锃半导体申请半导体结构及其形成方法专利，提高器件性能和可靠性
 评论 ⋅  2024-11-04 15:24
合肥晶合集成电路申请一种半导体器件的制作方法专利，能够提高半导体器件的性能
 评论 ⋅  2024-10-29 18:00
广东气派科技申请 MOSFET 的封装结构专利，采用封装结构得到的 MOSFET 散热性能佳
 评论 ⋅  2024-10-24 10:02
总投资310亿元，星柯先进光电显示产业项目高性能载板一号厂房主体封顶
 评论 ⋅  2024-10-09 14:53
左蓝微电子高性能5G射频滤波器项目启动
 评论 ⋅  2024-09-24 21:13
上海壁仞科技取得封装结构专利，提高散热性能
 评论 ⋅  2024-09-20 11:00
扬杰科技申请“一种提高可靠性能力的碳化硅二极管及其制备方法”专利，提高器件的高压 H3TRB 的可靠性
 评论 ⋅  2024-09-12 15:53
国创中心联合研发中心逐步发力，“超高性能同质外延Micro-LED”取得新突破
 评论 ⋅  2024-09-09 17:37
江苏能华微取得 GaN 肖特基二极管相关专利，有效提高了 GaN 肖特基二极管的性能
 评论 ⋅  2024-09-03 10:56
苏州晶湛半导体取得半导体结构及其形成方法专利，提高半导体外延层的性能
 评论 ⋅  2024-08-29 10:52
英飞凌推出高性能 CIPOS™ Maxi 智能功率模块，适用于功率高达 4 千瓦的工业电机驱动器
 评论 ⋅  2024-08-13 10:53
光谷实验室研发出高性能量子点光刻胶
 评论 ⋅  2024-08-12 18:01
左蓝微电子完成亿元B+轮融资，持续打造射频滤波器性能新高度
 评论 ⋅  2024-08-08 10:22
华羿微电申请高性能 MOSFET 功率器件外延设计结构专利，降低功率器件制造成本
 评论 ⋅  2024-08-05 17:20
美国投资14亿美元研发高性能Chiplet
 评论 ⋅  2024-07-22 10:08
长光华芯申请高功率半导体激光芯片性能评估及结构优化方法专利，有效提高评估结果准确度
 评论 ⋅  2024-06-04 15:48
青禾晶元领跑国际，成功研制8寸高性能滤波器用压电材料POI衬底
 评论 ⋅  2024-05-09 15:36
西安8英寸高性能特色工艺半导体芯片生产线项目实现“交地即交证” 总投资45亿元
 评论 ⋅  2024-04-23 17:12
西安8英寸高性能特色工艺半导体生产线项目争2024年建成投产
 评论 ⋅  2024-04-23 17:06
CSPSD 2024成都前瞻|电子科技大学巫江：基于化合物半导体异质结的高性能器件设计与制备
 评论 ⋅  2024-04-22 10:14
晶合集成申请半导体器件专利，提升半导体器件的性能
 评论 ⋅  2024-03-13 19:17
英飞凌推出新一代碳化硅技术CoolSiC™ MOSFET G2，推动低碳化的高性能系统
 评论 ⋅  2024-03-11 18:05
比亚迪半导体申请逆导型IGBT功率器件专利，有效抑制负阻效应，提高器件性能
 评论 ⋅  2024-03-01 10:41
中科潞安量产产品性能再升级 大功率UVC-LED器件实验室效率破9.5%
中科潞安深紫外UVC-LED
 评论 ⋅  2024-01-15 08:47
中国科学院半导体所荣获北京市自然科学奖一等奖
中国科学院半导体所高性能钙钛矿半导体光电器件载流子2022年度北京市自然科学奖一等奖
 评论 ⋅  2023-12-28 14:19
丰田、本田、电装、瑞萨电子等12家日企宣布合作开发高性能汽车芯片
丰田斯巴鲁日产本田马自达电装松下汽车系统Socionext瑞萨电子新思科技日本公司
 评论 ⋅  2023-12-28 14:02
大阪公立大学梁剑波：增强 GaN/3C-SiC/金刚石结构的散热性能，以适应实际器件应用
 评论 ⋅  2023-12-22 16:31
量子工程材料如何赋能半导体性能提升？
 评论 ⋅  2023-12-14 17:34
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