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氮化镓功率电子器件技术分会日程出炉|IFWS 2024前瞻
 评论 ⋅  2024-11-09 17:17
CASICON晶体大会前瞻|西安电子科技大学宋庆文：碳化硅电子器件技术若干新进展
 评论 ⋅  2024-06-11 14:34
IFWS 2023│九峰山实验室袁俊：新型碳化硅沟槽器件技术研究进展
 评论 ⋅  2023-12-21 10:42
IFWS 2023│追踪氮化镓功率电子器件技术新进展
 评论 ⋅  2023-11-30 09:05
IFWS&SSLCHINA2023│香港科技大学教授陈敬：面向功率、射频和数字应用的氮化镓器件技术
 评论 ⋅  2023-11-29 11:25
IFWS 2023前瞻│氮化镓功率电子器件技术分会日程出炉
 评论 ⋅  2023-11-18 17:35
IFWS 2023前瞻│氮化镓射频电子器件技术分会日程出炉
 评论 ⋅  2023-11-14 18:16
中电科第五十五研究所黄润华：SiC MOSFET器件技术现状及产品开发进展
 评论 ⋅  2023-08-01 16:51
【CASICON 2023 西安站】西安电子科技大学副校长张进成：宽禁带半导体射频和功率器件技术新进展
 评论 ⋅  2023-07-27 08:40
CASICON 2023前瞻 中电科55所黄润华：SiC MOSFET器件技术现状及产品开发进展
 评论 ⋅  2023-07-13 11:24
扬杰科技与东南大学签署战略合作协议，共建宽禁带功率器件技术联合研发中心
 评论 ⋅  2023-06-12 10:15
扬杰科技将与东南大学共建宽禁带功率器件技术联合研发中心
 评论 ⋅  2023-06-09 10:06
美国北卡罗莱纳州立大学教授Victor Veliadis：碳化硅功率半导体器件技术
 评论 ⋅  2023-05-29 10:02
赛道火热+现场火爆，聚焦碳化硅功率电子器件技术新风向
 评论 ⋅  2023-02-27 19:01
5G乘风破浪，聚焦射频电子材料与器件技术新进展
 评论 ⋅  2023-02-17 16:19
IFWS：氮化镓功率电子器件技术研究进展
 评论 ⋅  2023-02-15 17:58
IFWS：碳化硅功率电子器件技术进展追踪
 评论 ⋅  2023-02-15 11:33
IFWS：超宽禁带半导体材料与器件技术最新进展
 评论 ⋅  2023-02-14 11:53
开年盛会 | 固态紫外材料与器件技术分论坛嘉宾报告日程出炉——IFWS&SSLCHINA前瞻
 评论 ⋅  2023-01-11 18:53
IFWS 2022前瞻：射频电子材料与器件技术分会日程公布
 评论 ⋅  2023-01-06 19:03
IFWS 2022前瞻：超宽禁带及其他新型半导体材料与器件技术分会日程公布
 评论 ⋅  2023-01-05 19:29
赛晶科技：以自研IGBT、SiC等器件技术推动发电领域的清洁替代
 评论 ⋅  2022-12-12 10:55
华微电子：积极布局以SiC和GaN为代表的宽禁带半导体器件技术
 评论 ⋅  2022-10-28 15:57
IFWS 2022前瞻：氮化镓功率电子材料与器件技术新进展
 评论 ⋅  2022-10-10 15:25
应用潜力不断释放 固态紫外材料与器件技术最新进展
 评论 ⋅  2021-12-10 15:09
IFWS& SSLCHINA 2021前瞻：固态紫外材料与器件技术论坛最新日程出炉
 评论 ⋅  2021-11-27 16:48
华微电子：公司正在积极布局以SiC和GaN为代表的第三代半导体器件技术
 评论 ⋅  2021-10-20 15:58
【CASICON 2021】南京大学徐尉宗：面向高可靠性、高能效应用的GaN HEMT增强型器件技术
 评论 ⋅  2021-09-18 14:00
【CASICON 2021】青岛聚能创芯刘海丰：面向快充应用的GaN材料和器件技术
 评论 ⋅  2021-09-15 16:50
CASICON 2021前瞻：面向高可靠性、高能效应用的GaN HEMT增强型器件技术
 评论 ⋅  2021-09-10 10:21
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