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睿创微纳获得实用新型专利授权：“一种红外探测器芯片晶圆及红外探测器”
 评论 ⋅  2024-03-26 16:46
宏微科技取得电动汽车用IGBT或MOSFET版图结构专利，IGBT或MOSFET的芯片尺寸可大大减小
 评论 ⋅  2024-03-25 15:00
北京大学申请长波长InGaN基发光二极管专利，有利于提高发光多量子阱中的铟并入
 评论 ⋅  2024-03-25 10:36
华为公司申请半导体器件及其制备方法专利，降低半导体器件的功率损耗
 评论 ⋅  2024-03-22 17:30
长鑫存储“半导体结构及其形成方法、存储器”专利公布
 评论 ⋅  2024-03-14 17:29
晶合集成申请半导体器件专利，提升半导体器件的性能
 评论 ⋅  2024-03-13 19:17
长鑫存储申请晶圆级封装方法专利，提高晶圆封装的良率
 评论 ⋅  2024-03-12 17:52
纳芯微推出基于创新型振铃抑制专利的车规级CAN SIC: NCA1462-Q1
 评论 ⋅  2024-03-12 15:32
比亚迪半导体申请终端结构及其制造方法以及功率器件专利，能够提高耐压值
 评论 ⋅  2024-03-08 15:13
北京大学申请大尺寸高热导率III族氮化物外延材料的制备方法专利，提高整个异质集成结构的热导率
 评论 ⋅  2024-03-06 10:13
海信家电申请半导体装置专利，降低半导体装置的生产成本
 评论 ⋅  2024-03-05 15:55
东微半导申请氮化镓器件及其制造方法专利，提供一种氮化镓器件
 评论 ⋅  2024-03-05 13:51
扬杰科技申请高封装功率密度的GaNHEMT器件及其制备方法专利
 评论 ⋅  2024-03-04 17:01
比亚迪半导体申请逆导型IGBT功率器件专利，有效抑制负阻效应，提高器件性能
 评论 ⋅  2024-03-01 10:41
晶合集成取得半导体器件及其制备方法专利，改善电阻Rc并提高良率
 评论 ⋅  2024-02-29 11:37
芯导科技申请TrenchMOSFET器件的自对准的制备方法专利，进一步缩小了接触孔沿沟道方向尺寸
 评论 ⋅  2024-02-28 17:32
士兰微获得发明专利授权：“功率半导体器件及其制造方法”
 评论 ⋅  2024-02-26 09:59
武汉新芯“半导体器件及其制备方法”专利公布
 评论 ⋅  2024-02-23 11:38
晶合集成申请半导体结构及其制备方法专利
 评论 ⋅  2024-02-23 09:55
中芯国际“电容器结构及其形成方法”专利公布
 评论 ⋅  2024-02-22 10:30
三星取得半导体封装件新专利，具有嵌入芯片的再布线层
 评论 ⋅  2024-02-18 16:29
北京大学申请碳化硅平面栅MOSFET器件及其制备方法专利，能够降低器件的沟道电阻
 评论 ⋅  2024-02-06 14:15
中国西电获得发明专利授权：“基于大容量电力电子开关施加故障电流装置及试验方法”
 评论 ⋅  2024-02-01 17:18
长电科技申请光电芯片互联封装结构及其制备方法专利
 评论 ⋅  2024-01-31 17:57
致力打破功率半导体 “卡脖子”封锁 吉林华微电子获授权专利32 项
 评论 ⋅  2024-01-29 14:37
盛美上海申请预湿腔内外气压平衡控制装置及方法专利
 评论 ⋅  2024-01-19 10:18
华为公司申请功率器件专利，提高半导体器件的可靠性
 评论 ⋅  2024-01-18 16:58
北京大学申请高动态稳定性GaN器件专利，提高GaN HEMT的动态稳定性
 评论 ⋅  2024-01-17 10:07
阳光电源申请功率半导体保护专利，能为功率半导体模块提供更快速及时的保护
阳光电源功率半导体保护专利
 评论 ⋅  2024-01-12 11:19
比亚迪半导体申请半导体器件终端结构、制备方法及半导体器件专利
 评论 ⋅  2024-01-09 10:21
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