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中芯国际申请光刻机焦距监控相关专利，实现在线焦距监控且对产品晶圆图形影响小
 评论 ⋅  2024-10-28 16:37
华海清科“驱动机构的保湿控制方法、晶圆清洗装置、存储介质”专利公布
 评论 ⋅  2024-10-25 11:01
北方华创“一种进气管的清洗方法及半导体工艺设备”专利公布
 评论 ⋅  2024-10-25 10:54
上海华虹宏力申请接触孔自对准的MOSFET制造方法专利
 评论 ⋅  2024-10-24 10:03
广东气派科技申请 MOSFET 的封装结构专利，采用封装结构得到的 MOSFET 散热性能佳
 评论 ⋅  2024-10-24 10:02
华润微“一种LIGBT器件及其制备方法”专利公布
 评论 ⋅  2024-10-24 09:13
京东方“衬底基板、显示基板以及光探测基板”专利获授权
 评论 ⋅  2024-10-21 16:56
昂瑞微“一种芯片及其UserID检测电路”专利获授权
 评论 ⋅  2024-10-21 16:52
华虹宏力“一种嵌入式肖特基MOSFET制作方法”专利公布
 评论 ⋅  2024-10-21 16:50
杭州镓仁半导体申请氧化镓单晶衬底抛光片划片方法专利，减少切割道周边晶片解理、崩裂和微裂纹等缺陷的产生
 评论 ⋅  2024-10-21 10:26
江苏集芯申请大尺寸碳化硅晶体生长坩埚及生长装置专利，保证晶体中心位置和外侧边缘的生长速率相一致
 评论 ⋅  2024-10-21 10:06
长电科技“腔体式封装结构及封装方法”专利获授权
 评论 ⋅  2024-10-18 16:18
武汉新芯取得清洗装置及半导体制造设备专利，去除晶圆边缘残留物避免影响后续工艺
 评论 ⋅  2024-10-17 14:46
和其光电“用于光纤传感器封装的高精密多维调节对位系统及方法”专利获授权
 评论 ⋅  2024-10-17 14:44
长电科技“腔体式封装结构及封装方法”专利获授权
 评论 ⋅  2024-10-17 14:43
中科飞测“光束整形系统”专利公布
 评论 ⋅  2024-10-12 10:15
格兰菲申请功率半导体器件结构及其制备方法专利，有利于终端区面积缩小
 评论 ⋅  2024-10-11 10:53
通富微电“半导体测试系统的控制方法及半导体测试系统”专利公布
 评论 ⋅  2024-10-10 15:30
厦门三安集成电路申请射频功率放大器相关专利
 评论 ⋅  2024-09-27 20:50
忱芯科技申请碳化硅功率半导体器件的驱动板和测试方法专利
 评论 ⋅  2024-09-27 20:45
芯联集成“外延设备”专利获授权
 评论 ⋅  2024-09-23 15:34
上海壁仞科技取得封装结构专利，提高散热性能
 评论 ⋅  2024-09-20 11:00
长宇科技取得一项外延生长基盘用高均质性特种石墨材料的制备方法专利，能够保持产品制备的稳定性
 评论 ⋅  2024-09-20 10:56
晶合集成申请一种半导体结构的制作方法及动态调整系统专利，提高半导体结构的良率
 评论 ⋅  2024-09-19 17:13
扬杰科技申请一种多导电沟道的平面栅 MOSFET 及制备方法专利，降低平面栅垂直导电 MOSFET 导通电阻
 评论 ⋅  2024-09-19 17:07
龙腾股份取得 SGT-MOSFET 半导体器件制备方法相关专利，避免出现第一氧化层过薄
 评论 ⋅  2024-09-19 17:07
浙江奥首材料科技申请一种用于半导体化合物光刻胶的剥离液专利，减少剥离液中的腐蚀
 评论 ⋅  2024-09-19 17:01
芯源微获得发明专利授权：“晶圆搬运装置及晶圆搬运方法”
 评论 ⋅  2024-09-18 11:49
芯导科技申请一种 T 型沟槽栅碳化硅 MOSFET 器件结构及其制备方法专利，提高了栅极可靠性
 评论 ⋅  2024-09-12 16:50
扬杰科技申请“一种提高可靠性能力的碳化硅二极管及其制备方法”专利，提高器件的高压 H3TRB 的可靠性
 评论 ⋅  2024-09-12 15:53
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