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厚度达100 mm! 碳化硅单晶生长取得新进展
北京大学取得AlGaN基深紫外发光二极管器件结构及其制备方法专利,显著提升器件的光输出功率
日本开发在磁场下实现电阻开关效应的半导体器件
九峰山实验室+华中科大联合攻关,一种新型光刻胶技术完成初步工艺验证
厦门大学康俊勇教授团队:人工智能无损表征技术,助力SiC晶体生长
一种IGBT结温预测的方法
北京大学申请p沟道氮化镓异质结晶体管及其制备方法专利,实现电流密度的增加
中国科学院微电子所在厚膜氮化镓与多晶金刚石异质集成方面取得新进展
厦门大学于大全教授团队与华为团队合作 在先进封装金刚石散热技术领域取得突破
西交大科研人员在hBN真空紫外探测器领域取得重要进展
光谷实验室攻克量子点短波红外成像新技术
哈工大郑州研究院在CVD法制备纯净分散纳米金刚石技术领域取得重要进展
成果推荐| 基于凹槽二次外延技术的p-GaN栅极增强型电力电子器件
中科大孙海定教授Adv. Mater.: 构建双极型氮化镓PN结实现双通道加密光通信应用
丰田合成、大阪大学等 成功制备6吋GaN衬底
半导体所研制出室温连续功率4.6W的GaN基大功率紫外激光器
福建物构所新型高效近红外量子点荧光粉及其micro-LED应用获进展
科学家研发出新型散热材料超薄金刚石膜 可将电动汽车充电速度提升五倍
日本初创公司开发功率半导体生产新材料 成本降低75%
山东大学郝晓涛团队在有机半导体光伏器件物理研究中取得新进展
复旦大学微电子学院三篇高水平成果亮相ISSCC 2024
西安交大毫米波频率源芯片研究成果在ISSCC2024发表
浙大科研团队新发现或突破电动汽车锂电池“快充和低温”瓶颈
重庆研究院发展出仿生“视听”光电探测器
复旦大学微电子学院器件工艺团队研发基于全无机钙钛矿的多功能集成光子器件
香港科技大学开发高效结合III-V与硅的新集成技术 有助革新数据通信
西电郝跃院士团队在超陡垂直晶体管器件研究方面取得重要进展
北大团队新型器件技术加速GaN进入工业与汽车应用
新进展│深圳大学刘新科课题组取得基于2D-on-GaN垂直异质集成的高性能宽光谱探测器研究新成果
宽禁带与二维材料,
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深圳大学,
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厦大物理宽禁带半导体团队在量子点电子态和自旋态操控领域取得重要进展
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