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简述一种具有叠层钝化结构的高耐压低功耗GaN功率器件
 评论 ⋅  2023-03-16 15:12
简述HVPE 法 GaN 单晶掺杂研究新进展
 评论 ⋅  2023-03-08 16:41
简述GaN功率器件应用可靠性增长研究
 评论 ⋅  2023-02-24 15:10
简述选择GaN或SiC器件的重点
 评论 ⋅  2023-01-09 17:08
苏州纳米所孙钱团队研制出国际首支1200V的硅衬底GaN基纵向功率器件
 评论 ⋅  2022-12-14 10:27
GaN衬底研发获新突破！
 评论 ⋅  2022-12-01 10:25
河工大张紫辉团队在GaN基Micro-LED方面获得新进展
 评论 ⋅  2022-11-28 17:13
浅述GaN功率器件的发展
 评论 ⋅  2022-11-28 15:40
北京交大科研团队提出GaN器件动态导通电阻的精确测试与优化方法
 评论 ⋅  2022-11-17 16:42
简述提高GaN效率的新掺杂技术
 评论 ⋅  2022-11-16 10:25
简述纳微GaNSense技术及专利布局
 评论 ⋅  2022-11-03 17:51
简述使用不同类型GaN FET 设计提高系统设计功率密度
 评论 ⋅  2022-10-10 17:51
东南大学牵头起草《分立GaN HEMT功率器件动态电阻评估》技术报告征求意见
 评论 ⋅  2022-10-08 15:10
深圳大学刘新科研究员团队研发出自支撑GaN衬底上的高性能常关型PGaN栅极HEMT
 评论 ⋅  2022-09-22 08:56
东南大学牵头起草《分立GaN HEMT功率器件动态电阻评估》技术报告征求意见
 评论 ⋅  2022-09-19 17:45
金刚石在GaN功率放大器热设计中的应用
 评论 ⋅  2022-09-06 19:28
Wolfspeed：GaN HEMT 大信号模型
 评论 ⋅  2022-08-23 10:55
大阪大学、丰田合成等合作利用Na助熔剂法培育出世界上最大的6英寸高品质GaN晶体
 评论 ⋅  2022-07-25 17:14
6英寸高品质GaN晶体最新进展
 评论 ⋅  2022-07-14 19:16
在纳米图案化蓝宝石衬底（NPSS）上实现AlGaN基高效多量子阱的生长
 评论 ⋅  2022-07-12 14:59
GaN基紫外半导体激光器
 评论 ⋅  2022-07-11 16:53
技术分享 | GaN器件驱动及简化栅极驱动设计的方法
 评论 ⋅  2022-06-22 18:08
GaN 封装技术研究进展
 评论 ⋅  2022-05-25 16:32
GaN单晶衬底减薄新技术
 评论 ⋅  2022-05-16 14:56
中科院半导体所赵德刚团队研制出室温连续功率2W的GaN基大功率紫外激光器
 评论 ⋅  2022-04-20 09:58
北京大学沈波、许福军团队在高Al组分AlGaN的高效p型掺杂研究中获重要进展
 评论 ⋅  2022-04-20 09:27
向单芯片的GaN器件进军
 评论 ⋅  2022-03-22 10:04
世界上最大的超6英寸GaN籽晶问世！
 评论 ⋅  2022-03-17 11:39
西电张进成教授团队最新成果：基于p-SnO帽层栅的高阈值增强型AlGaN/GaN HEMTs
 评论 ⋅  2021-12-22 16:28
GaN 解决方案：小型封装应对大型雷达挑战
GaN解决方案小型封装大型雷达
 评论 ⋅  2021-04-19 08:34
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