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许福军、沈波团队成功实现垂直注入AlGaN基深紫外发光器件的晶圆级制备
 评论 ⋅  2024-11-12 18:43
中国科大微电子学院在GaN HEMT开关瞬态建模方向取得新进展
 评论 ⋅  2024-10-29 17:45
中国科大微电子学院在GaN功率电子器件浪涌特性研究方向取得新进展
 评论 ⋅  2024-10-10 20:42
中科院微电子所在GaN器件研究方面取得重要进展
 评论 ⋅  2024-10-10 11:14
中科大孙海定iGaN实验室研究三维垂直集成microLED阵列实现无掩膜深紫外光刻新技术
 评论 ⋅  2024-09-30 19:58
北京大学在GaN功率器件可靠性与集成技术方面取得系列进展
 评论 ⋅  2024-07-12 22:09
技术进展|突破性研究：GaN-on-Diamond键合界面热阻显著降低
 评论 ⋅  2024-05-06 13:57
北京大学取得AlGaN基深紫外发光二极管器件结构及其制备方法专利，显著提升器件的光输出功率
 评论 ⋅  2024-04-08 19:10
成果推荐| 基于凹槽二次外延技术的p-GaN栅极增强型电力电子器件
 评论 ⋅  2024-03-13 20:11
丰田合成、大阪大学等 成功制备6吋GaN衬底
 评论 ⋅  2024-03-11 16:54
半导体所研制出室温连续功率4.6W的GaN基大功率紫外激光器
 评论 ⋅  2024-03-07 09:47
北大团队新型器件技术加速GaN进入工业与汽车应用
 评论 ⋅  2024-02-08 19:58
新进展│深圳大学刘新科课题组取得基于2D-on-GaN垂直异质集成的高性能宽光谱探测器研究新成果
宽禁带与二维材料,能带工程，光电探测器,深圳大学,垂直异质集成
 评论 ⋅  2024-02-01 11:30
联合攻关成果！1700V GaN HEMTs器件研制成功
 评论 ⋅  2024-01-24 17:49
山东大学彭燕、徐现刚团队在面向大功率高效散热GaN器件用金刚石-碳化硅复合衬底的进展
金刚石SiCGaN衬底
 评论 ⋅  2024-01-04 09:28
金刚石基板上的GaN晶体管，散热性能提高2.3倍
日本大阪公立大学东北大学金刚石基板氮化镓晶体管
 评论 ⋅  2023-12-21 16:57
日本开发新技术，可实现GaN垂直导电
 评论 ⋅  2023-11-16 16:59
科研新进展 | 厦门大学张保平教授课题组发表绿光GaN基VCSEL重要成果
 评论 ⋅  2023-11-09 17:12
石墨烯/GaN异质结中的双极性光响应及其在自由空间安全光通信中的应用研究
 评论 ⋅  2023-07-13 10:34
南京大学在GaN基Micro LED研究领域取得新进展
 评论 ⋅  2023-06-30 22:51
简述GaN 外延生长方法及生长模式
 评论 ⋅  2023-06-08 16:20
基于全HVPE生长、具有创纪录的高品质优值(1.1 GW/cm2)的垂直GaN肖特基势垒二极管
 评论 ⋅  2023-06-08 09:44
简述金刚石在 GaN 功率放大器热设计中的应用
 评论 ⋅  2023-03-27 11:28
简述一种具有叠层钝化结构的高耐压低功耗GaN功率器件
 评论 ⋅  2023-03-16 15:12
简述HVPE 法 GaN 单晶掺杂研究新进展
 评论 ⋅  2023-03-08 16:41
简述GaN功率器件应用可靠性增长研究
 评论 ⋅  2023-02-24 15:10
简述选择GaN或SiC器件的重点
 评论 ⋅  2023-01-09 17:08
苏州纳米所孙钱团队研制出国际首支1200V的硅衬底GaN基纵向功率器件
 评论 ⋅  2022-12-14 10:27
GaN衬底研发获新突破！
 评论 ⋅  2022-12-01 10:25
河工大张紫辉团队在GaN基Micro-LED方面获得新进展
 评论 ⋅  2022-11-28 17:13
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