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半导体所等在砷化镓（GaAs）中产生自旋极化研究方面取得进展
 评论 ⋅  2024-07-22 11:42
GAA 晶体管继任者？复旦大学团队公布CFET新进展！
 评论 ⋅  2022-12-10 19:02
中科院物理所在集成有亚波长光栅的台面型InGaAs基短波红外偏振探测器取得进展
 评论 ⋅  2022-11-29 09:29
南京大学余林蔚教授课题组实现面向GAA-FET的10 nm特征尺寸超细晶硅纳米线可靠生长集成
 评论 ⋅  2022-09-13 13:31
三星宣布3纳米芯片正式开始量产 采用新 GAA晶体管架构 提高30%性能
 评论 ⋅  2022-06-30 16:52
三星计划三年内打造 3 纳米 GAA（Gate-all-around）工艺
 评论 ⋅  2022-06-20 15:35
InGaAs单光子探测芯片设计制造领域重要进展
 评论 ⋅  2022-05-25 09:42
力拼台积电，三星宣布3纳米GAA成功流片
 评论 ⋅  2021-06-30 13:22
军民融合+进口替代正当时——世界领先的GaAs和GaN混合集成微波功率放大器量产
 评论 ⋅  2020-06-24 16:25
台湾交通大学激光60周年系列专文：介绍GaAs及GaN VCSEL
台湾交通大学激光60周年GaAsGaNVCSEL
 评论 ⋅  2020-05-19 13:17
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