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东南大学，Nature Electronics！
 评论 ⋅  2024-11-01 18:43
中机新材——团聚金刚石技术，赋能晶圆减薄新高度
 评论 ⋅  2024-10-31 10:35
英飞凌推出全球最薄硅功率晶圆，突破技术极限并提高能效
 评论 ⋅  2024-10-30 19:37
至芯半导体取得重大突破，推出高光效UV器件
 评论 ⋅  2024-10-16 09:08
从三种充电方式，解锁不同功率电动汽车充电桩设计方案全攻略
 评论 ⋅  2024-10-12 10:32
水稻“生出”半导体材料，我国团队实现了！
 评论 ⋅  2024-10-10 16:15
英飞凌率先开发全球首项300mm氮化镓功率半导体技术，推动行业变革
 评论 ⋅  2024-09-12 17:30
国内高校实现Micro LED技术突破，涉及深紫外、光通讯
 评论 ⋅  2024-08-13 16:24
我国科学家实现材料突破，可用于开发低功耗芯片
 评论 ⋅  2024-08-09 10:22
光谷光通信传输最新成果，又破世界纪录！
 评论 ⋅  2024-08-05 15:30
复旦大学研发半导体性光刻胶，实现特大规模集成度有机芯片制造
 评论 ⋅  2024-07-08 13:10
积塔半导体BCD复合高压隔离器平台开发团队：积沙成塔，用“芯”取得新突破
 评论 ⋅  2024-06-14 10:46
晶合集成申请半导体专利，能提高半导体器件的稳定性和平衡性
 评论 ⋅  2024-05-30 09:37
北京大学取得AlGaN基深紫外发光二极管器件结构及其制备方法专利，显著提升器件的光输出功率
 评论 ⋅  2024-04-08 19:10
九峰山实验室+华中科大联合攻关，一种新型光刻胶技术完成初步工艺验证
 评论 ⋅  2024-04-02 19:48
厦门大学康俊勇教授团队：人工智能无损表征技术，助力SiC晶体生长
 评论 ⋅  2024-03-29 10:53
北京大学申请p沟道氮化镓异质结晶体管及其制备方法专利，实现电流密度的增加
 评论 ⋅  2024-03-26 18:37
新进展│深圳大学刘新科课题组取得基于2D-on-GaN垂直异质集成的高性能宽光谱探测器研究新成果
宽禁带与二维材料,能带工程，光电探测器,深圳大学,垂直异质集成
 评论 ⋅  2024-02-01 11:30
厦大、华为合作，实现具有超低边界热阻的硅/多晶金刚石键合
 评论 ⋅  2024-01-23 17:12
北大团队研发超低动态电阻氮化镓高压器件，耐压能力大于6500V
北超低动态电阻氮化镓高压器件耐压6500V
 评论 ⋅  2024-01-11 11:17
石墨烯芯片制造领域，重要里程碑→
碳化硅超高迁移率半导体外延石墨烯
 评论 ⋅  2024-01-05 13:55
金刚石基板上的GaN晶体管，散热性能提高2.3倍
日本大阪公立大学东北大学金刚石基板氮化镓晶体管
 评论 ⋅  2023-12-21 16:57
全球首颗！我国芯片领域取得重大突破！
芯片，存算一体，忆阻器，人工智能，自动驾驶，光刻胶
 评论 ⋅  2023-12-15 11:08
日本开发新技术，可实现GaN垂直导电
 评论 ⋅  2023-11-16 16:59
清华发布新Nature，实现光电融合新突破！
 评论 ⋅  2023-11-01 10:48
氢能源汽车下的技术变革，芯镁信突破催化燃烧式氢气传感器车载格局
 评论 ⋅  2023-09-18 13:23
一体化芯片同时集成激光器和光子波导，有望催生更精确原子钟实验
 评论 ⋅  2023-08-11 10:42
中科院宣布，光计算芯片领域新突破！
 评论 ⋅  2023-06-15 10:51
从600块降到10块，中科院攻克重要芯片技术难关
 评论 ⋅  2023-03-03 10:44
中科院研发铜掺杂p型半导体材料，可印制1-20nm厚的二维薄膜材料
 评论 ⋅  2023-02-24 10:52
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