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我国首次突破沟槽型
碳化硅
MOSFET芯片制造技术
基本半导体铜烧结技术在
碳化硅
功率模块中的应用
吕坚院士团队 l 3D打印莫来石增强的
碳化硅
气凝胶复合材料
厚度达100 mm!
碳化硅
单晶生长取得新进展
碳化硅
单晶衬底的常用检测技术
器件新突破!香港科技大学教授陈敬团队成功研制一种融合氮化镓和
碳化硅
二者优点的实验晶体管!
中科院物理所陈小龙团队:晶圆级立方
碳化硅
单晶生长取得突破
中国科学院
物理研究所
陈小龙
异质籽晶
同质籽晶
生长
石墨烯芯片制造领域,重要里程碑→
碳化硅
超高迁移率
半导体
外延
石墨烯
山东大学彭燕、徐现刚团队在面向大功率高效散热GaN器件用金刚石-
碳化硅
复合衬底的进展
金刚石
SiC
GaN
衬底
上海硅酸盐所
碳化硅
陶瓷增材制造研究获进展
工艺打通!九峰山实验室全面启动
碳化硅
(SiC)工艺技术服务
中科院科学家在8英寸
碳化硅
单晶研制中获进展
中国电科55所高性能高可靠
碳化硅
MOSFET 技术及应用通过技术鉴定
成果上新!8英寸导电型
碳化硅
研制获得成功
科友6/8英寸
碳化硅
规模化生产取得重大技术突破
详解
碳化硅
晶片的磨抛工艺方案
简述激光在
碳化硅
半导体晶圆制程中的应用
简述
碳化硅
衬底制备的重点与难点
中国科大首次实现基于
碳化硅
中硅空位色心的高压原位磁探测
国际首次!科研团队在基于
碳化硅
硅空位色心的高压原位磁探测研究方面取得突破
国内首家!厦门大学实现8英寸
碳化硅
外延生长
台湾中山大学突破6英寸
碳化硅
晶体生长!
简述SiC
碳化硅
单晶的生长原理
简述
碳化硅
功率器件封装的三个关键技术
俄亥俄州立大学的
碳化硅
MOSFET可靠性研究之短路能力
上海微系统所在
碳化硅
异质集成材料与光子器件领域取得进展
浅谈
碳化硅
寿命中的挑战
东风汽车
碳化硅
功率模块将于2023年实现量产
SiC工艺之质子注入缺陷抑制技术解决
碳化硅
层错难题
上海微系统所在硅基
碳化硅
异质集成XOI材料领域取得重要进展
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