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全球首发！复旦团队研制二维半导体芯片“无极”
 评论 ⋅  2025-04-03 09:21
实现技术突破！我国成功研制出这一光子芯片
 评论 ⋅  2025-03-13 12:10
研制成功！我国团队在氧化镓日盲光电探测器领域取得重要进展
 评论 ⋅  2025-02-28 09:30
中国首款高压抗辐射碳化硅功率器件研制成功 通过太空验证
 评论 ⋅  2025-01-22 10:39
中国太空科技新突破！首款高压抗辐射碳化硅功率器件研制成功并验证
 评论 ⋅  2025-01-22 09:36
核能安全所在超宽禁带材料半导体辐射探测器研制方面取得新进展
 评论 ⋅  2025-01-14 08:20
中南大学团队研制出偏振、谐振腔等光场调控Micro-LEDs
 评论 ⋅  2024-12-16 10:43
中国科学院研制出新型锆钛酸铅光子集成工艺开发套件
 评论 ⋅  2024-12-06 10:49
半导体所研制出室温连续功率4.6W的GaN基大功率紫外激光器
 评论 ⋅  2024-03-07 09:47
联合攻关成果！1700V GaN HEMTs器件研制成功
 评论 ⋅  2024-01-24 17:49
器件新突破！香港科技大学教授陈敬团队成功研制一种融合氮化镓和碳化硅二者优点的实验晶体管！
 评论 ⋅  2024-01-19 13:12
中国科学院半导体研究所在脉冲型人工视觉芯片研制取得新进展
 评论 ⋅  2024-01-17 09:36
日本团队：金刚石MOSFET研制取得最新进展
钻石MOSFET
 评论 ⋅  2023-12-29 16:52
厦大团队研制成功拓扑自旋固态光源芯片
 评论 ⋅  2023-07-14 08:37
中科院科学家在8英寸碳化硅单晶研制中获进展
 评论 ⋅  2023-07-04 09:59
上海光机所在特殊波长的飞秒超快光纤激光器研制方面获进展
 评论 ⋅  2023-06-06 11:53
成果上新！8英寸导电型碳化硅研制获得成功
 评论 ⋅  2023-05-15 18:05
半导体所成功研制一款极低电压低抖动低功耗频率综合器芯片
 评论 ⋅  2023-03-14 09:23
中国科大龙世兵课题组研制出氧化镓垂直槽栅场效应晶体管
 评论 ⋅  2023-02-27 11:47
苏州纳米所孙钱团队研制出国际首支1200V的硅衬底GaN基纵向功率器件
 评论 ⋅  2022-12-14 10:27
中科院微电子所研制高功率密度5结级联905nm VCSEL
 评论 ⋅  2022-11-11 11:14
山东大学成功研制高质量4英寸氧化镓晶体
 评论 ⋅  2022-09-28 15:53
郝跃院士团队研制出国际最高功率优值13.2 GW/cm2氧化镓二极管并首次在氧化镓中实现空穴超注入效应
 评论 ⋅  2022-08-28 09:13
复旦大学微电子学院成功研制新原理机器视觉增强芯片
 评论 ⋅  2022-08-05 11:26
中电科45所研制的双8英寸全线自动化湿法整线设备进入国内主流产线
 评论 ⋅  2022-07-25 17:51
大功率芯片研制获突破
 评论 ⋅  2022-07-06 19:44
清华大学团队研制出国际首款实时超光谱成像芯片
 评论 ⋅  2022-06-01 16:13
中科院半导体所赵德刚团队研制出室温连续功率2W的GaN基大功率紫外激光器
 评论 ⋅  2022-04-20 09:58
中科院物理所陆凌团队研制出了性能指标具佳的拓扑腔面发射激光器
 评论 ⋅  2022-04-02 11:26
长光所在量子陀螺专用垂直腔面发射激光器研制和应用方面取得进展
 评论 ⋅  2022-03-17 09:46
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