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脉冲模式下输出功率超15 W的
氮化镓
蓝光激光器
王新强、王涛团队在褶皱二维
氮化镓
声子研究中取得重要进展
英飞凌率先开发全球首项300mm
氮化镓
功率半导体技术,推动行业变革
我国攻克1200V以上增强型
氮化镓
电力电子芯片量产技术
西安电子科技大学攻克 1200V 以上增强型
氮化镓
电力电子芯片量产技术
名古屋大学天野浩团队Nature发文:
氮化镓
的2D-Mg掺杂现象
中国科大孙海定教授和武大刘胜院士Nature Electronics封面论文: 发明新型
氮化镓
光电二极管
北京大学申请p沟道
氮化镓
异质结晶体管及其制备方法专利,实现电流密度的增加
中国科学院微电子所在厚膜
氮化镓
与多晶金刚石异质集成方面取得新进展
中科大孙海定教授Adv. Mater.: 构建双极型
氮化镓
PN结实现双通道加密光通信应用
器件新突破!香港科技大学教授陈敬团队成功研制一种融合
氮化镓
和碳化硅二者优点的实验晶体管!
北大团队研发超低动态电阻
氮化镓
高压器件,耐压能力大于6500V
北
超低动态电阻
氮化镓
高压器件
耐压
6500V
金刚石基板上的GaN晶体管,散热性能提高2.3倍
日本大阪公立大学
东北大学
金刚石
基板
氮化镓
晶体管
太原理工大学和武汉大学在金刚石/
氮化镓
薄膜生长工艺与热物性表征领域研究进展
苏州纳米所在新型
氮化镓
基光电器件领域取得进展
中科院微电子所:在硅基
氮化镓
横向功率器件的动态可靠性研究方面取得进展
南科大化梦媛团队揭示与
氮化镓
晶格匹配的GaON纳米层的形成机理及应用
MXene范德华接触在
氮化镓
高电子迁移率晶体管中的应用
南科大电子系化梦媛团队揭示与
氮化镓
晶格匹配的GaON纳米层的形成机理及应用
简述
氮化镓
的合成制备及展望
简述
氮化镓
晶格排列氧化
氮化镓
纳米层的形成及其在电子器件中的应用
氮化镓
栅极驱动专利:RC负偏压关断专利技术之台达电子篇
硅基
氮化镓
Micro-LED,实现高速可见光通信信号探测
氮化镓
栅极驱动专利:RC负偏压关断技术之松下篇
长平时代发布用于车载电子的900V硅基
氮化镓
外延片
技术分享:基于
氮化镓
单晶衬底的增强型
氮化镓
HEMTs
研究人员利用
氮化镓
开发新型电子设备
苏州纳米所器件部樊士钊等JAP:利用电子通道衬度成像方法分析
氮化镓
异质结中的穿透位错和失配位错
中科院微电子研究所在
氮化镓
—金刚石异质集成方面取得新进展
中科院微电子所在
氮化镓
—金刚石异质集成方面取得新进展
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