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重磅发布|九峰山实验室GaN系列成果首次发布!
九峰山实验室
GaN
研究成果
8英寸
氮化镓衬底
西安交大科研人员制备出全球首款六方
氮化
硼同质结深紫外LED芯片
浙江大学柯徐刚研究员团队发布应用于大功率AI数据中心的第三代半导体
氮化
镓高效率智能供电芯片
香港科技大学陈敬教授课题组发布多项
氮化
镓、碳化硅的最新研究进展
北大杨学林、沈波团队在
氮化
镓外延材料中位错的原子级攀移动力学研究上取得重要进展
脉冲模式下输出功率超15 W的
氮化
镓蓝光激光器
王新强、王涛团队在褶皱二维
氮化
镓声子研究中取得重要进展
英飞凌率先开发全球首项300mm
氮化
镓功率半导体技术,推动行业变革
中国科学院半导体所在
氮化
物位错演化机制及光电神经网络器件研究领域取得新进展
我国攻克1200V以上增强型
氮化
镓电力电子芯片量产技术
西安电子科技大学攻克 1200V 以上增强型
氮化
镓电力电子芯片量产技术
名古屋大学天野浩团队Nature发文:
氮化
镓 的2D-Mg掺杂现象
科学家提出倾斜台阶面外延生长菱方
氮化
硼单晶方法
中国科大孙海定教授和武大刘胜院士Nature Electronics封面论文: 发明新型
氮化
镓光电二极管
北京大学申请p沟道
氮化
镓异质结晶体管及其制备方法专利,实现电流密度的增加
中国科学院微电子所在厚膜
氮化
镓与多晶金刚石异质集成方面取得新进展
中科大孙海定教授Adv. Mater.: 构建双极型
氮化
镓PN结实现双通道加密光通信应用
器件新突破!香港科技大学教授陈敬团队成功研制一种融合
氮化
镓和碳化硅二者优点的实验晶体管!
北大团队研发超低动态电阻
氮化
镓高压器件,耐压能力大于6500V
北
超低动态电阻
氮化镓
高压器件
耐压
6500V
中国科学院长春光机所黎大兵研究团队喜获吉林省技术发明一等奖
氮化铝
深紫外
光电器件
吉林省
技术发明
一等奖
黎大兵
孙晓娟
蒋科
吴亮
徐春阳
贲建伟
金刚石基板上的GaN晶体管,散热性能提高2.3倍
日本大阪公立大学
东北大学
金刚石
基板
氮化镓
晶体管
太原理工大学和武汉大学在金刚石/
氮化
镓薄膜生长工艺与热物性表征领域研究进展
厦大曹阳教授团队在单原子层六方
氮化
硼用于提升析氧反应性能研究方面取得进展
苏州纳米所在新型
氮化
镓基光电器件领域取得进展
北大许福军、沈波团队在
氮化
物半导体大失配外延研究上取得突破性进展
北京大学许福军、沈波团队实现了接近体块级质量的III族
氮化
物异质外延膜
北京大学
III族氮化物
外延层薄膜
宽禁带半导体
中科院微电子所:在硅基
氮化
镓横向功率器件的动态可靠性研究方面取得进展
南科大化梦媛团队揭示与
氮化
镓晶格匹配的GaON纳米层的形成机理及应用
MXene范德华接触在
氮化
镓高电子迁移率晶体管中的应用
半导体产业快速发展带动下 PBN(热解
氮化
硼)市场需求空间广阔
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