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半导体所在硅基外延量子点激光器研究方面取得重要进展
 评论 ⋅  2023-06-25 11:17
北京大学许福军、沈波团队实现了接近体块级质量的III族氮化物异质外延膜
北京大学III族氮化物外延层薄膜宽禁带半导体
 评论 ⋅  2023-06-25 08:05
Chiplet成半导体性能提升重要路径
 评论 ⋅  2023-06-15 15:07
中科院宣布，光计算芯片领域新突破！
 评论 ⋅  2023-06-15 10:51
【国际论文】具有集成鳍型二极管的低反向导通损耗氧化镓纵向FinFET
 评论 ⋅  2023-06-13 18:10
具有集成鳍型二极管的低反向导通损耗氧化镓纵向FinFET
 评论 ⋅  2023-06-13 17:13
世界最好水平！奥趋光电推出新一代超高透过率AlN单晶衬底
 评论 ⋅  2023-06-12 09:28
简述GaN 外延生长方法及生长模式
 评论 ⋅  2023-06-08 16:20
国际团队开发出一种“3D光量子存储器”原创技术
 评论 ⋅  2023-06-08 14:57
中国科大在功率电子器件领域取得重要进展
 评论 ⋅  2023-06-08 10:48
基于全HVPE生长、具有创纪录的高品质优值(1.1 GW/cm2)的垂直GaN肖特基势垒二极管
 评论 ⋅  2023-06-08 09:44
上海光机所在特殊波长的飞秒超快光纤激光器研制方面获进展
 评论 ⋅  2023-06-06 11:53
中科院微电子所：在硅基氮化镓横向功率器件的动态可靠性研究方面取得进展
 评论 ⋅  2023-06-06 11:30
台积2纳米试产 有动作了
 评论 ⋅  2023-06-05 09:54
CASA发布《SiC MOSFET功率器件的应用可靠性评价技术体系报告》
 评论 ⋅  2023-05-26 13:44
简述半导体工艺与制造装备技术发展趋势
 评论 ⋅  2023-05-25 15:55
中国电科55所高性能高可靠碳化硅MOSFET 技术及应用通过技术鉴定
 评论 ⋅  2023-05-23 17:44
“一种低操作电压高一致性忆阻器及其制备方法”发明专利发布
 评论 ⋅  2023-05-22 17:13
厦门大学团队发表Mini-LEDs非接触检测新技术
 评论 ⋅  2023-05-17 14:22
厦门大学张洪良团队在宽禁带氧化镓半导体掺杂电子结构研究取得进展
 评论 ⋅  2023-05-16 15:38
中国科大参与实现“超快调速”自旋量子比特
 评论 ⋅  2023-05-16 14:05
厦大团队在Micro-LED全彩显示技术方面取得突破
 评论 ⋅  2023-05-16 11:07
成果上新！8英寸导电型碳化硅研制获得成功
 评论 ⋅  2023-05-15 18:05
科友6/8英寸碳化硅规模化生产取得重大技术突破
 评论 ⋅  2023-05-12 17:05
南科大化梦媛团队揭示与氮化镓晶格匹配的GaON纳米层的形成机理及应用
 评论 ⋅  2023-05-12 16:49
南京邮电大学氧化镓创新中心(IC-GAO)氧化镓日盲紫外阵列成像器件研究取得新突破
 评论 ⋅  2023-05-11 09:47
详解碳化硅晶片的磨抛工艺方案
 评论 ⋅  2023-04-28 10:25
MXene范德华接触在氮化镓高电子迁移率晶体管中的应用
 评论 ⋅  2023-04-27 16:12
国内首次太赫兹轨道角动量的实时无线传输通信实验完成 6G关键技术有新突破
 评论 ⋅  2023-04-19 18:11
中国半导体十大研究进展候选推荐——溶液生长BiI/BiI3范德华异质结构实现高灵敏X-射线探测
 评论 ⋅  2023-04-19 17:59
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