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简述汽车芯片
25 kW SiC直流快充设计指南(第四部分):DC-DC级的设计考虑因素和仿真
SiC MOSFET单管的并联均流特性及1 200V 产品参数分散性对并联均流的影响
解析射频微波电感器件之选用玻璃陶瓷基板
半导体材料的点空位缺陷工程用于环境修复以及可持续能源生产
南京大学、东南大学在双层二维半导体外延生长核心
技术
取得新突破
中科院物理所在光致VO2非易失相变及智能光电传感应用方面取得新进展
又2项,华为再公开芯片相关专利
第四代半导体氧化镓,浙大杭州科创中心新
技术
路线制备 2 英寸晶圆
设计基于SiC的电动汽车直流快速充电机
中科院成功制备8英寸碳化硅晶体
南京大学等突破双层二维半导体外延生长核心
技术
固体所在二维材料光电探测器研究方面取得新进展
国际首创!浙大杭州科创中心首次采用新
技术
路线成功制备2英寸氧化镓晶圆
SiC功率模块封装
技术
及展望
上海光机所疫情期间封闭攻关 突破多项“卡脖子”
技术
中国科大成功融合远距离量子密钥分发和光纤振动传感
中国科大实现硅基量子芯片中自旋轨道耦合强度的高效调控
清华团队阐释层状半导体芯片新材料的横向结电子器件应用
山海半导体推出国际先进水平32位超高分辨率ADC
牛津大学研发出特殊蓝宝石光纤传感器,破解了长达20年的
技术
瓶颈
应用在智能照明领域的环境光传感芯片
中科院物理所在8英寸碳化硅单晶研究取得新进展
金刚石MOSFET器件最新成果!在(111)金刚石衬底上成功制备高性能C-Si MOSFET器件
南科大深港微电子学院在宽禁带半导体器件领域取得系列研究进展
苏州大学揭建胜教授团队提出有机半导体单晶薄膜制备新方法,迁移率变异系数仅9.8%
总投资近3000亿?传世界先进拟建首座12英寸
南科大深港微电子学院在宽禁带半导体器件领域取得系列研究进展
能效有望突破1000倍,华中科大科研团队新型存储芯片取得重大进展
高温工作垂直腔面发射半导体激光器现状与未来
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