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中国科学家在锗锡材料分子束外延方面取得重要进展
 评论 ⋅  2022-07-06 14:02
碳化硅功率器件在车载充电机 OBC中的应用简述
 评论 ⋅  2022-07-06 12:13
微型成像系统应用的介质超构透镜进展及挑战
 评论 ⋅  2022-07-06 11:08
大型电动汽车中电机控制器IGBT模块驱动电路的设计思路简述
 评论 ⋅  2022-07-05 17:32
加州大学伯克利分校研究人员开发出一种新型半导体激光器
 评论 ⋅  2022-07-05 13:59
三星宣布3纳米芯片正式开始量产 采用新 GAA晶体管架构 提高30%性能
 评论 ⋅  2022-06-30 16:52
复旦大学卢红亮课题组在柔性氧化镓光电探测器方面取得重要研究进展 实现超灵敏的深紫外光探测率
 评论 ⋅  2022-06-30 15:52
高压大功率芯片封装的散热研究与仿真分析
 评论 ⋅  2022-06-29 17:02
英特尔研究院最新研究在多波长集成光学领域取得新进展
 评论 ⋅  2022-06-29 12:01
我国研究者开发AlNO新型缓冲层，提升绿光LED效率方面获重大进展
 评论 ⋅  2022-06-29 08:35
突破！世界首个原子级量子集成电路推出
 评论 ⋅  2022-06-27 15:24
4H-SiC紫外光电探测器最新成果
 评论 ⋅  2022-06-24 14:42
技术分享 | GaN器件驱动及简化栅极驱动设计的方法
 评论 ⋅  2022-06-22 18:08
SiC 动态表征和测量方法简述
 评论 ⋅  2022-06-22 09:28
西安交大在氧化物薄膜外延领域取得重要进展
 评论 ⋅  2022-06-21 13:52
三星计划三年内打造 3 纳米 GAA（Gate-all-around）工艺
 评论 ⋅  2022-06-20 15:35
广东省科学院半导体研究所新型显示团队在微器件巨量组装和集成领域重要研究进展
 评论 ⋅  2022-06-17 10:58
工作温度横跨400度！工研院VLSI发表世界顶尖“磁性存储器”技术
 评论 ⋅  2022-06-17 10:02
栅极驱动器以及 SiC MOSFET 栅极驱动分析
 评论 ⋅  2022-06-16 12:05
SiC MOS产品驱动设计之寄生导通问题分析与设计建议
 评论 ⋅  2022-06-16 11:03
厦门大学课题组在超高响应度日盲光电探测纸研究重要进展
 评论 ⋅  2022-06-16 10:51
华为公布量子芯片新专利，若实现商用或革新当下硅基芯片技术
 评论 ⋅  2022-06-13 10:21
多层MoS2外延晶圆推动二维半导体器件应用的研究进展
 评论 ⋅  2022-06-13 10:18
超结 IGBT 最新研究进展
 评论 ⋅  2022-06-10 14:28
厦大蔡端俊教授课题组在实验上第一次成功获得二维半导体h-BN的n型导电
 评论 ⋅  2022-06-08 16:03
中科院上海光机所在单频589nm光纤激光器研究方面取得进展
 评论 ⋅  2022-06-08 12:37
SiC MOSFET的Vgs门极电压的选取及其影响
 评论 ⋅  2022-06-06 15:16
先进碳化硅技术助力储能系统
 评论 ⋅  2022-06-06 10:15
清华大学团队研制出国际首款实时超光谱成像芯片
 评论 ⋅  2022-06-01 16:13
上海交大材料学院郭益平教授课题组在柔性压电传感器的研究中取得新进展
 评论 ⋅  2022-06-01 08:58
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