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1万伏！我国实现6英寸AlN单晶复合衬底和晶圆制造全流程突破
 评论 ⋅  2024-11-05 09:24
镓仁半导体：铸造法成功生长超厚6英寸氧化镓单晶！
 评论 ⋅  2024-10-29 19:59
上海微系统所成功开发面向二维集成电路的单晶金属氧化物栅介质晶圆
 评论 ⋅  2024-08-08 11:10
晶钻科技同质外延单晶金刚石新突破
 评论 ⋅  2024-08-06 11:26
西安交大刘明教授团队在柔性自支撑反铁电氧化物单晶薄膜研究方面取得新进展
 评论 ⋅  2024-06-04 13:40
科学家提出倾斜台阶面外延生长菱方氮化硼单晶方法
 评论 ⋅  2024-05-06 11:06
厚度达100 mm! 碳化硅单晶生长取得新进展
 评论 ⋅  2024-04-29 07:34
碳化硅单晶衬底的常用检测技术
 评论 ⋅  2024-01-25 21:07
中科院物理所陈小龙团队：晶圆级立方碳化硅单晶生长取得突破
中国科学院物理研究所陈小龙异质籽晶同质籽晶生长
 评论 ⋅  2024-01-15 13:26
新进展！西安交通大学实现2英寸单晶金刚石异质外延自支撑衬底量产
金刚石半导体MPCVD异质外延2英寸量产
 评论 ⋅  2024-01-05 11:40
镓和半导体展示多规格氧化镓单晶衬底并首次公开发布4英寸（100）面单晶衬底参数
 评论 ⋅  2023-10-24 16:35
中科院科学家在8英寸碳化硅单晶研制中获进展
 评论 ⋅  2023-07-04 09:59
世界最好水平！奥趋光电推出新一代超高透过率AlN单晶衬底
 评论 ⋅  2023-06-12 09:28
中国科大制备出高效稳定的钙钛矿单晶LED
 评论 ⋅  2023-04-11 18:03
简述HVPE 法 GaN 单晶掺杂研究新进展
 评论 ⋅  2023-03-08 16:41
简述SiC碳化硅单晶的生长原理
 评论 ⋅  2023-03-03 10:48
重要发现！3C-SiC有望PK单晶金刚石，成为高导热材料的选择
 评论 ⋅  2022-12-14 20:16
4英寸氧化镓单晶生长与性能分析
 评论 ⋅  2022-11-23 16:54
碳化硅单晶薄膜制备技术及集成光子应用技术进展
 评论 ⋅  2022-11-02 15:16
西安交大王宏兴教授团队在单晶金刚石衬底技术产业化上取得重大进展
 评论 ⋅  2022-10-25 21:47
冯志红团队在(001)单晶金刚石上制备了具有同质外延层的金刚石FET
 评论 ⋅  2022-10-19 15:15
碳化硅单晶衬底加工技术现状及发展趋势综述
 评论 ⋅  2022-10-10 15:59
山东大学与南砂晶圆团队实现了高质量8英寸导电型4H-SiC单晶和衬底制备
山东大学晶体材料4HSiC衬底8英寸
 评论 ⋅  2022-09-21 08:45
技术分享：基于氮化镓单晶衬底的增强型氮化镓HEMTs
 评论 ⋅  2022-09-15 17:03
上海微系统所信息功能材料国家重点实验室团队发布碳化硅单晶薄膜制备技术及集成光子应用综述
 评论 ⋅  2022-08-09 16:19
浙江大学50 mm厚6英寸碳化硅单晶生长获得成功
 评论 ⋅  2022-07-28 16:18
GaN单晶衬底减薄新技术
 评论 ⋅  2022-05-16 14:56
中科院物理所在8英寸碳化硅单晶研究取得新进展
 评论 ⋅  2022-04-26 14:13
苏州大学揭建胜教授团队提出有机半导体单晶薄膜制备新方法，迁移率变异系数仅9.8%
 评论 ⋅  2022-04-24 08:28
中科院化学所在印刷制备单一取向有机半导体单晶阵列方面取得进展
 评论 ⋅  2022-04-06 10:06
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