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厦门大学与三安光电关于大
功率
激光器寿命研究取得新进展
英飞凌推出全球最薄硅
功率
晶圆,突破技术极限并提高能效
睿创微纳在微波
功率
放大器研究中取得重要进展
从三种充电方式,解锁不同
功率
电动汽车充电桩设计方案全攻略
中国科大微电子学院在GaN
功率
电子器件浪涌特性研究方向取得新进展
北京大学王新强教授团队:推动高
功率
UVC-LED晶圆进入低成本4英寸时代!
英飞凌率先开发全球首项300mm氮化镓
功率
半导体技术,推动行业变革
基本半导体铜烧结技术在碳化硅
功率
模块中的应用
北京大学在GaN
功率
器件可靠性与集成技术方面取得系列进展
808nm高
功率
半导体激光芯片取得重大突破
复旦大学芯片院在高速低EMI
功率
集成电路设计领域取得重要进展
北京大学取得AlGaN基深紫外发光二极管器件结构及其制备方法专利,显著提升器件的光输出
功率
半导体所研制出室温连续
功率
4.6W的GaN基大
功率
紫外激光器
日本初创公司开发
功率
半导体生产新材料 成本降低75%
上海光机所在高重频高
功率
超快激光器研究取得进展
山东大学彭燕、徐现刚团队在面向大
功率
高效散热GaN器件用金刚石-碳化硅复合衬底的进展
金刚石
SiC
GaN
衬底
嘉善复旦研究院与复旦大学科研团队在低传导损耗
功率
器件方面取得重大进展
我国取得深海大
功率
人工源电磁探测技术新突破
西安电子科技大学郝跃院士团队:氧化镓
功率
器件研究成果
电子科技大学罗小蓉课题组在超宽禁带半导体氧化镓
功率
器件领域取得研究进展
中山大学王钢教授团队在NiO/β-Ga₂O₃异质结在
功率
器件领域的研究进展
中国科大在
功率
电子器件领域取得重要进展
中科院微电子所:在硅基氮化镓横向
功率
器件的动态可靠性研究方面取得进展
CASA发布《SiC MOSFET
功率
器件的应用可靠性评价技术体系报告》
简述
功率
半导体器件之IGBT技术及市场发展概况
简述金刚石在 GaN
功率
放大器热设计中的应用
简述一种具有叠层钝化结构的高耐压低功耗GaN
功率
器件
简述碳化硅
功率
器件封装的三个关键技术
简述GaN
功率
器件应用可靠性增长研究
上海光机所在高峰值
功率
皮秒深紫外光源方面取得研究进展
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