新闻资讯
行业活动
专题聚焦
招聘求职
资料下载
视频
天岳先进
长电科技
华为
晶盛机电
产业基地
芯
半导体
赛微电子
首页
新闻资讯
行业活动
专题聚焦
招聘求职
资料下载
视频
首页
>
新闻资讯
>
搜索
综合排序
最多点击
最新发布
全部类别
技术
材料
产业
财经
应用
西安电子科技大学郝跃院士团队:氧化镓
功率
器件研究成果
电子科技大学罗小蓉课题组在超宽禁带半导体氧化镓
功率
器件领域取得研究进展
中山大学王钢教授团队在NiO/β-Ga₂O₃异质结在
功率
器件领域的研究进展
中国科大在
功率
电子器件领域取得重要进展
中科院微电子所:在硅基氮化镓横向
功率
器件的动态可靠性研究方面取得进展
CASA发布《SiC MOSFET
功率
器件的应用可靠性评价技术体系报告》
简述
功率
半导体器件之IGBT技术及市场发展概况
简述金刚石在 GaN
功率
放大器热设计中的应用
简述一种具有叠层钝化结构的高耐压低功耗GaN
功率
器件
简述碳化硅
功率
器件封装的三个关键技术
简述GaN
功率
器件应用可靠性增长研究
上海光机所在高峰值
功率
皮秒深紫外光源方面取得研究进展
简述通过栅极驱动器提高开关电源
功率
密度
苏州纳米所孙钱团队研制出国际首支1200V的硅衬底GaN基纵向
功率
器件
东风汽车碳化硅
功率
模块将于2023年实现量产
SiC MOSFET
功率
模块的各种参数电动汽车
浅述GaN
功率
器件的发展
简述
功率
MOSFET电流额定值和热设计
Nature Electronics 电力电子首篇综述 -
功率
器件的多维结构
中科院微电子所研制高
功率
密度5结级联905nm VCSEL
简述SiC
功率
器件的新发展和挑战
简述碳化硅
功率
器件封装关键技术
简述使用不同类型GaN FET 设计提高系统设计
功率
密度
东南大学牵头起草《分立GaN HEMT
功率
器件动态电阻评估》技术报告征求意见
东南大学牵头起草《分立GaN HEMT
功率
器件动态电阻评估》技术报告征求意见
金刚石在GaN
功率
放大器热设计中的应用
一种基于基板埋入技术的新型SiC
功率
模块封装及可靠性优化设计方法
自研基于 6 寸碳化硅晶圆的 6.5kV MOSFET
功率
模块测试分析
郝跃院士团队研制出国际最高
功率
优值13.2 GW/cm2氧化镓二极管并首次在氧化镓中实现空穴超注入效应
一种基于基板埋入技术的SiC
功率
模块封装及可靠性优化设计
第
2
页/共
4
页
首页
下一页
上一页
尾页
联系客服
投诉反馈
顶部