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简述通过栅极驱动器提高开关电源
功率
密度
苏州纳米所孙钱团队研制出国际首支1200V的硅衬底GaN基纵向
功率
器件
东风汽车碳化硅
功率
模块将于2023年实现量产
SiC MOSFET
功率
模块的各种参数电动汽车
浅述GaN
功率
器件的发展
简述
功率
MOSFET电流额定值和热设计
Nature Electronics 电力电子首篇综述 -
功率
器件的多维结构
中科院微电子所研制高
功率
密度5结级联905nm VCSEL
简述SiC
功率
器件的新发展和挑战
简述碳化硅
功率
器件封装关键技术
简述使用不同类型GaN FET 设计提高系统设计
功率
密度
东南大学牵头起草《分立GaN HEMT
功率
器件动态电阻评估》技术报告征求意见
东南大学牵头起草《分立GaN HEMT
功率
器件动态电阻评估》技术报告征求意见
金刚石在GaN
功率
放大器热设计中的应用
一种基于基板埋入技术的新型SiC
功率
模块封装及可靠性优化设计方法
自研基于 6 寸碳化硅晶圆的 6.5kV MOSFET
功率
模块测试分析
郝跃院士团队研制出国际最高
功率
优值13.2 GW/cm2氧化镓二极管并首次在氧化镓中实现空穴超注入效应
一种基于基板埋入技术的SiC
功率
模块封装及可靠性优化设计
汽车
功率
器件的热管理探讨
Wolfspeed :高
功率
应用的可扩展性设计
高
功率
大能量飞秒脉冲激光技术现状和未来发展趋势
浅述IGBT在高
功率
环境中的散热方法
Wolfspeed:SiC
功率
模块最大限度提高有源前端效率
大
功率
芯片研制获突破
碳化硅
功率
器件在车载充电机 OBC中的应用简述
高压大
功率
芯片封装的散热研究与仿真分析
中国科大在氧化镓
功率
电子器件领域取得重要进展
SiC
功率
模块封装技术及展望
中科院半导体所赵德刚团队研制出室温连续
功率
2W的GaN基大
功率
紫外激光器
Wolfspeed:新型SBD和MOSFET封装大幅缩减尺寸,提高
功率
密度
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