英特尔宣布扩容英特尔成都封装测试基地
 评论 ⋅  2024-10-28 10:28
一文解开远山氮化镓功率器件实现耐高压的秘密
 评论 ⋅  2024-10-28 10:25
镓仁半导体成功制备VB法(非铱坩埚)2英寸氧化镓单晶
 评论 ⋅  2024-10-27 22:32
尼康官宣旗下首款半导体后端工艺用光刻机
 评论 ⋅  2024-10-25 17:09
华海清科“驱动机构的保湿控制方法、晶圆清洗装置、存储介质”专利公布
 评论 ⋅  2024-10-25 11:01
北方华创“一种进气管的清洗方法及半导体工艺设备”专利公布
 评论 ⋅  2024-10-25 10:54
精测电子收购芯盛智能11.93%股权 发力存储测试装备领域
 评论 ⋅  2024-10-25 09:37
英飞凌推出CoolSiC™肖特基二极管2000V，直流母线电压最高可达1500 VDC， 效率更高，设计更简单
 评论 ⋅  2024-10-24 17:14
中国电科原副总经理何文忠被逮捕
 评论 ⋅  2024-10-24 14:45
Wolfspeed搁置在德国建半导体工厂的计划
 评论 ⋅  2024-10-24 10:31
上海华虹宏力申请接触孔自对准的MOSFET制造方法专利
 评论 ⋅  2024-10-24 10:03
广东气派科技申请 MOSFET 的封装结构专利，采用封装结构得到的 MOSFET 散热性能佳
 评论 ⋅  2024-10-24 10:02
富特科技：已实现SiC半导体器件在产品中的量产应用，且应用技术已相对成熟
 评论 ⋅  2024-10-24 09:24
华润微“一种LIGBT器件及其制备方法”专利公布
 评论 ⋅  2024-10-24 09:13
英特尔将在日本新建芯片研发中心
 评论 ⋅  2024-10-23 17:35
采埃孚与Wolfspeed芯片项目或告吹 德国工业复苏再受打击
 评论 ⋅  2024-10-23 14:17
首期规模120亿元，武汉“江城基金”聚焦泛半导体产业
 评论 ⋅  2024-10-22 19:48
东风汽车已完成3款车规级芯片流片
 评论 ⋅  2024-10-22 18:02
Infinera获美国《芯片法案》9300万美元资助
 评论 ⋅  2024-10-22 09:42
京东方“衬底基板、显示基板以及光探测基板”专利获授权
 评论 ⋅  2024-10-21 16:56
昂瑞微“一种芯片及其UserID检测电路”专利获授权
 评论 ⋅  2024-10-21 16:52
华虹宏力“一种嵌入式肖特基MOSFET制作方法”专利公布
 评论 ⋅  2024-10-21 16:50
杭州镓仁半导体申请氧化镓单晶衬底抛光片划片方法专利，减少切割道周边晶片解理、崩裂和微裂纹等缺陷的产生
 评论 ⋅  2024-10-21 10:26
江苏集芯申请大尺寸碳化硅晶体生长坩埚及生长装置专利，保证晶体中心位置和外侧边缘的生长速率相一致
 评论 ⋅  2024-10-21 10:06
东风汽车已完成3款车规级芯片流片
 评论 ⋅  2024-10-21 09:58
远山半导体发布新一代高压氮化镓功率器件
 评论 ⋅  2024-10-20 18:47
国产芯片！红旗发布了首台1700V超高压碳化硅功率模块样品
 评论 ⋅  2024-10-18 16:54
长电科技“腔体式封装结构及封装方法”专利获授权
 评论 ⋅  2024-10-18 16:18
三星解散LED业务，但仍继续研发Micro LED
 评论 ⋅  2024-10-18 11:14
和研科技设备入选辽宁省首台(套)目录
 评论 ⋅  2024-10-17 17:50
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