青岛精诚华旗微电子设备有限公司是专业的半导体工艺设备及先进材料专用设备研发、制造厂家。致力于为半导体、高新材料提供先进的专用设备，工艺涵盖扩散、氧化、退火、合金、薄膜淀积（氮化硅、氧化硅、多晶硅等）、外延、烧结等工艺。精诚华旗拥有十几年的专业研发制造经验、半导体工艺设备覆盖一、二、三代半导体材料-硅、砷化镓、氮化镓等等。产品服务广泛应用于行业内的大专院校、科研院所、半导体制造企业工厂等。主要产品有:4"-8"扩散炉系列,LPCVD系统,PECVD系统,VPE系统,扩散炉炉体系列及真空炉系列。4"-8"

英国布鲁内尔伦敦大学的John COSMAS教授，分享了“超市5G网络Radio Light服务”报告。 他对宽带家庭网络解决方案以及用于超市的5G无线网络照明服务应用的主要市场趋势和需求做了介绍。5G无线光网络（输入/输出寄存器装入）超市，可以很容易地部署，因为它采用无可见光和毫米波频谱的一部分，它是用来为购物者提供精确定位、互动架构，访问互联网和基于云的服务，如高分辨率视频在平板电脑。 他还表示，此次来北京其中有一个目的就是找到一家公司能够合作，找到适合的芯片，把这样的一个解决方案实现了，而且是基

中国农业科学院农业环境与可持续发展研究所李涛做了LED在园艺生产中的智能应用的报告，分享了LED在设施园艺的主要应用、LED在花卉方面的应用、补光、远红光、UV LED等方面的研究成果。

华灿光电股份有限公司副总裁王江波在SSLCHINA2017“芯片、封装与模组技术分会上做了“高光效LED照明及下一代LED显示技术的发展与前景”的主题报告； 他表示，在过去20年当中，LED产业发展非常迅速，年负荷增长率做到了30%左右，尤其是在十二五期间，整个行业分成了上游、中游、下游，下游产业规模是最大的，中国现在已经逐渐的变成世界上最大的LED芯片生产国家，现在基本上占有53%的整个市场的份额，一个产能的份额。 LED照明市场在2015年至2020年，预测接下来还会有一个接近10%的增长。背光方

SSLCHINA 2017之“生物农业光照技术”分会上，台湾大学教授、台湾植物工厂首席专家方炜介绍了用于高附加值作物生产的人工光植物工厂。他表示，植物工厂有很高的发展潜力，LED可以让植物工厂发展的更好。

北京大学微电子学院陶明分享“高击穿电压高和低电流崩塌的常关硅基GaN MOSHEMT”新进展报告。她主要介绍了一种无等离子体、自停止的栅刻蚀技术，在 优化的HEMT结构上实现了高性能的增强型GaN MOSHEMT。

中国农业科学院北京畜牧兽医研究所孙研研介绍了LED光谱对蛋鸡生长发育和繁殖性能的影响主题报告。

该视频为：中国科学院半导体研究所研究员、中国科学院大学岗位教授赵丽霞，主讲的《Reliability and Failure Analysis for GaN-based LEDs》学术报告。

该视频为：日本大阪大学助理教授CHEN Chuantong主讲的《SiC功率芯片贴片模组低应力连接技术》报告。为SiC芯片的键合，研究了一种烧结微孔和钨(W)薄膜的夹层结构。芯片粘连层被设计为微孔Ag/钨/微孔Ag以便增加粘连层厚度，从而实现低应力的SiC功率模块。Ag膏的厚度为0.1mm，而钨的厚度分别为0.1mm和0.5mm。粘连层剪切强度高达60Mpa，1000次热循环（-50-250 ℃）后仍然大于30MPa。此烧结技术最有希望应用于高温工作的低应力的SiC功率模块。 第三代半导体材料主要包

该视频为：超凡数据与咨询事业部检索业务高级总监马志勇主讲的《SiC国际知名企业专利布局策略与竞合动向》报告。 他表示：“研发者首先要注重和用专利，注意你的核心技术你的专利，要用拳头保护咱们的产品。要用专利的挖掘与布局来保护我们的产品和研发。并且通过专利分析可以找到合作者，补全我们产业链的一环，增强实力。这些巨头是一个竞争，我们要关注它的专利，规避我们的风险，通过专利分析这些东西都是潜在可能的。”

南京电子器件研究所黄润华博士分享了1.2kV 4H-SiC DMOSFET的设计与制造关键点。他表示，未来的工作主要还是针对一千两百伏到一千七百伏的企业，要实现一个产品化，目前提供可生产性基本满足产品要求，未来就是为了降低电阻，提升我们的可靠性，还要进行下一步的研究。再下一步要开发三千三百伏到一万伏，争取到五千伏的时候推出一些产品。

德国爱思强股份有限公司电力电子器件副总裁Frank WISCHMEYER先生分享了，就高生产率的碳化硅同质外延的程序在大容量生产反应器当中的表现主题报告。他表示，用于高产量生产的高增长率SiC同质外延工艺生长的大容量生产反应器，它是在于每小时二十五微米，更好地，更快速地长外延材料，那么也是在生产领域对于生产厂家来说是一个好事，那么同时它这个结果在之间出的效果，尤其是在一千二百伏元器件体现出来。预计2018年这种全面的自动化技术的使用，会使得我们整个产业会有大量的一个客户量的增长。

所有的技术都有一个发展过程，尤其对于电网来说，它要求的高电压大电流，它的可靠性要求三十年甚至四十年。国家电网全球能源互联网研究院功率半导体研究所副总工程师杨霏介绍了碳化硅材料和电力器件在电网当中的应用。其中对电网整体对材料的要求，材料部分的需求和装备的国内国际进展进行了细致介绍。他表示，预期到2025年左右，十千伏十安的全控型的模块应当是可以达到应用水平，这样的话就是直流输电的话，灵活直流输电可能要突破五百千伏到八百千伏的水平，到2050年碳化硅三十千伏五千的应该可以达到应用水平，这样来说对电网的预期是整

英诺赛科（珠海）科技有限公司副总经理金源俊介绍“200mm CMOS晶圆厂无分散增强型650V GaN-on-Si HEMTs 器件工艺”报告。 由于缺乏低成本GaN体衬底，GaN被外延生长在各种基底上，最常见的是蓝宝石，碳化硅（SiC）和硅。虽然晶格常数和热膨胀系数（CTE）的失配使外延GaN很困难，特别是对于较大的Si衬底尺寸，但是对GaN生长Si衬底变得有吸引力，这是因为Si的晶圆直径大（200mm及更高）。为了替代商业的Si功率器件，GaN器件应当设计为增强型（e-mode），并通过低成本，

南方科技大学副教授刘召军在分享“可编程有源矩阵Micro-LED显示器的设计与制作”报告中表示，Micro-LED还可以被用于微型投影仪，不仅所需光路简单还可以大大提高整个系统的光利用率。Micro-LED在可穿戴器件应用中也炙手可热，适用于低功耗高亮度大视角的头戴式眼镜等应用场景。此外，基于氮化镓材料的Micro-LED在多种极端环境下依然能保持高度稳定性和可靠性，这使得其在特种应用方面前景更加广阔。刘教授重点对介绍了 Micro-LED的电学特性和最优化设计； 电流控制电流源设计架构的有源选址Micr

新加坡TÜV SÜD Asia Pacific Pte Ltd项目经理&高级工程师Henry Marvin BÖLL做了题为室内农业人工照明的标准与设计准则的报告。Henry Marvin BÖLL 目前主要的研究工作集中在用于控制园艺环境的人工照明。报告中，他介绍了对植物工厂中人工光源很重要的标准，包括参数的解读，以及如何目前可使用的一些标准。

厦门通秮科技有限公司总经理徐虹分享了人工智能+物联网+LED（人工智能驱动的PFAL）主题报告。

苏州纳维科技有限公司任国强博士分享“探索氮化物半导体的新应用”主题报告

德国ALLOS Semiconductors GmbH市场总监Alexander LOESING带来“无碳掺杂GaN-on-Si大外延片实现低漏电流”报告。 “我们已经在（111）硅衬底上通过MOVPE生长了150mm的硅衬底GaN外延片；并且已经通过增加GaN厚度到7 ?m能够显示有效的隔离。同时，已经可以展示进一步提高晶体质量提高隔离效果；在XRD下的FWHM为 330arcsec（002）和420arcsec（102）。最后我们证明了通过优化GaN和Si衬底之间核/缓冲层以及GaN层的插入层的

中国科学院微电子研究所研究员黄森分享“基于超薄壁垒AlGaN / GaN 异质结构的常关型GaN MIS-HEMTs制造”报告。 中国科学院微电子研究所研究员黄森表示，超薄势垒（UTB）AlGaN / GaN异质结用于制造常关断型GaN基MIS-HEMT。通过低压化学气相沉积（LPCVD）生长的SiNx钝化膜，有效地减少了超薄势垒（UTB） Al0.22Ga0.78N（5nm）/ GaN异质结构中2维电子气体（2DEG）的薄层电阻。制造的Al2O3 / AlGaN / GaN MIS-HEMT表现出