• 【视频报告 2018】俄
    俄罗斯STR 集团有限公司Mark RAMM介绍了《塑造-LED芯片形成内部微反射器,提高出光效率的一种方式》主题报告。他表示,微型LED在极高电流密度下工作的光源,其器件自热、由俄歇复合引起的效率下降和表面复合成为限制器件性能的主要因素。特别是当器件尺寸减小时,表面复合导致-LED峰值效率向更高电流密度处偏移且数值降低。早期对-LED的研究主要集中在它们的电流调制特性上。直到最近,效率提高才成为-LED的研究热点。通常,-LED的
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    limit2021-04-29 12:29
  • 【视频报告 2018】南
    南京大学电子科学与工程学院刘斌教授带来了《氮化镓微/纳米LED与量子点混合结构的高品质白光器件》研究报告。报告中提出了一种新型微纳米III族氮化物/II-VI族量子点混合结构LED。采用紫外软纳米压印和光刻技术,制备出晶圆面积的有序III族氮化物纳米孔和微米孔阵列,然后将II-VI族核/壳结构量子点填充至微/纳米孔中,形成量子点与量子阱侧壁紧密耦合结构。该结构利用量子阱与量子点偶极子间耦合增强物理效应,发光激子的复合寿命大
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    limit2021-04-29 12:29
  • 【视频报告 2018】香
    香港科技大学首席刘纪美教授在《Micro-LED显示屏:单片方法的优点和问题》报告中指出,大面积的LED显示器和普通照明应用中的成熟的LED技术很常见。近年来,LED在微显示器上的应用越来越受到人们的关注。与其他现有的微显示技术相比,led在效率、亮度、寿命、温度稳定性和鲁棒性等方面具有优势。最重要的是在明亮的日光下的能见度。
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    limit2021-04-29 12:28
  • 【视频报告 2018】南
    南方科技大学副教授刘召军在《多功能化氮化镓基高分辨率Micro-LED显示器》研究报告。
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    limit2021-04-29 12:28
  • 【视频报告 2018】台
    来自台湾交通大学佘庆威教授,他在《可实现全彩微显示的新型微结构LED》报告中表示,我们研究了一种新型微结构Nano-Ring (NR) LED,首先通过改变NRLED的环壁厚度,可以实现发光波长从480nm蓝光到535nm绿光的变化,接着在蓝光NRLED上喷涂红色量子点材料进行色彩转换,即可在同一材料上实现RGB全彩微显示。
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    limit2021-04-29 12:28
  • 【视频报告 2018】厦
    厦门大学电子科学系教授、福建省半导体照明工程技术研究中心副主任吕毅军分享了《基于显微高光谱成像技术的发光器件/阵列表面光热特性分布测试》研究报告。他介绍说,显微高光谱成像技术结合高光谱和显微技术,获得探测目标的二维几何空间及一维光谱信息的数据立方。同时具有高空间分辨率和高光谱分辨率的优点。是进行微小发光器件/阵列表面光谱探测的理想工具。我们基于显微高光谱开发了发光器件/阵列表面光热二维分布测试技术。
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    limit2021-04-29 12:28
  • 【视频报告 2018】德
    广东德豪润达电气股份有限公司LED芯片事业部产品经理桑永昌介绍了《Micro 和 Mini LED 焊接技术》主题报告。
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    limit2021-04-29 12:27
  • 【视频报告 2018】复
    复旦大学副教授田朋飞分享了《智能GaN基micro-LED阵列》研究报告。GaN基micro-LED (霯ED)阵列可用于高亮度微显示、高效率固态照明和高速可见光通信的高带宽发光芯片。通过结合以上功能,可以实现用于大数据和物联网的智能霯ED系统。至今为止,还未有将霯ED阵列用于高带宽探测器(PD)的报道。
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    limit2021-04-29 12:27
  • 【视频报告 2018】复
    复旦大学副教授张树宇在《135%NTSC色域的CsPbX3钙钛矿量子点薄膜》主题报告中表示,全无机CsPbX3 (X=I, Br, Cl)钙钛矿量子点(QDs)由于其优异的光学性能,包括极高的光致发光量子产率、狭窄的谱线宽度和广泛的可调发射,很可能成为下一代量子点显示技术。在制造过程中避免高温和惰性气氛的新方法是室温(RT)再结晶,为低成本大批量生产CsPbX3 QDs提供了一条很有前途的途径。然而,RT合成的QDs在工作条件下的稳定性性能与传统QDs不具
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    limit2021-04-29 12:27
  • 【视频报告 2018】株
    株洲中车时代电气股份有限公司半导体事业部副总经理研发中心主任戴小平介绍了《多电飞机平面封装型碳化硅功率模块》技术报告;
    156800
    limit2021-04-29 12:27
  • 【视频报告 2018】基
    深圳基本半导体有限公司副总经理张振中介绍了《高性能 3D SiC JBS 二极管》主题报告;张振中对各种类型的碳化硅器件,包括高压PiN二极管、高温JBS二极管、SBD管、平面及沟槽型MOSFET、JFET、BJT、UV二极管、MESFET都有从版图设计引入到量产工艺开发直到后期失效分析及良率提升等一系列的工艺技术IP和产业化经验。
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    limit2021-04-29 12:26
  • 【视频报告 2018】Vic
    美国电力副执行主任兼首席技术官、美国北卡罗莱纳州立大学教授Victor Veliadis带来《10 kV 4H-SiC晶体管基面位错和耐久性的影响》;
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    limit2021-04-29 12:26
  • 【视频报告 2018】Mie
    瑞典皇家工学院工程科学院教授Mietek BAKOWSKI以瑞典视角分享了《WBG电力设备的现状和采用前景》,报告中介绍了由瑞典创新局(Vinnova)和瑞典能源管理局以及碳化硅电力中心资助的选定工业和研究项目的概况和重点。示例展示了基于WBG的电力电子能量转换系统在各种应用中的节能方面的革命性进展。简要介绍了瑞典材料、技术和设备研发领域的相关项目。
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    limit2021-04-29 12:26
  • 【视频报告 2018】Ado
    瑞典Ascatron AB 首席技术官Adolf SCHÖNER介绍了《10千伏高压4H碳化硅PIN二极管的少子寿命调制》技术报告;
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    limit2021-04-29 12:26
  • 【视频报告 2018】P.S
    高温、高功率宽带隙半导体要求掌握碳化硅(SiC)等材料的晶体生长过程。今天,SiC是通过气相或液相法生长的,它包括下列过程:反应物的生成、反应物到生长表面的传输、生长表面的吸附、成核和最终晶体生长。GT Advanced Technologies首席技术官P.S. RAGHAVAN分享了《碳化硅衬底技术的最新进展》技术报告,报告中介绍了不同的SiC晶体生长过程以及SiC技术的最新进展。
    246300
    limit2021-04-29 12:25
  • 【视频报告 2018】周
    美国伦斯勒理工学院的周达成教授分享了《碳化硅功率器件的性能、可靠性和稳健性》;
    257000
    limit2021-04-29 12:25
  • 【视频报告 2018】香
    矩阵转换器被认为是一种最优异的交流-交流功率转换结构,因为其主要依赖于双向开关而几乎不需要其他被动组件。它不仅提升了能量转换效率,而且可以突破传统的通用逆变器所存在的开关切换速度,工作温度以及电压等级的限制。在此基础下,新型碳化硅(SiC)组件以及先进功率器件封装的应用将带来新一代矩阵转换器的重大发展与变革。香港应用科技研究院功率器件组总监袁述分享了《新一代碳化硅矩阵变换器》主题报告,报告中回顾矩阵转
    78500
    limit2021-04-29 12:25
  • 【视频报告 2018】Kaz
    特阿卜杜拉国王科技大学的Kazuhiro OHKAWA教授介绍了《AlGaN 材料MOCVD生长优化和反应器设计》研究报告。报告中,在较宽的压力、Al /(Ga + Al)比例和温度范围内成功仿真AlGaN生长。考虑到适量聚合物的形成,仿真中AlGaN的生长速率和组分与实验中的非常一致。这一技术使我们有可能优化氮化物MOCVD并设计升级反应器。
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    limit2021-04-29 12:24
  • 【视频报告 2018】维
    美国维易科精密仪器有限公司市场营销总监Mark MCKEE分享了《Micro-LED显示屏:关键制造挑战和MOCVD技术》报告。他介绍到,微型LED显示屏比其他显示技术,如背光LED显示屏、OLED显示屏和等离子显示屏,具有更高的亮度、更高的功率效率,而且更加坚固柔韧。然而,微型LED显示屏的缺点之一是制作复杂,这导致了较高的显示成本。在严格坚持目标成本的同时,微型LED显示屏优秀性能和良率为其制造带来了许多挑战。报告中提出,从外延和LE
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    limit2021-04-29 12:24
  • 【视频报告 2018】中
    中电科电子装备集团有限公司离子注入机技术总监张丛分享了《国产离子注入机发展及应用》主题报告。
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    limit2021-04-29 12:24
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