视频搜索_第22页_半导体产业网

首页 > 视频 > 搜索

方志来：P型氮掺杂β-
2840
方志来：P型氮掺杂β-
《P型氮掺杂-氧化镓材料与器件初探》作者：方志来单位：复旦大学信息科学与工程学院，复旦大学光电研究院，工程与应用技术研究院
28400
limit2022-01-05 17:41
黄洪：单晶氧化镓深紫
3140
黄洪：单晶氧化镓深紫
《单晶氧化镓深紫外探测器》作者：赵晓龙，穆文祥，贾志泰，徐光伟，胡芹，黄洪，陶绪堂，龙世兵单位：中国科学技术大学，山东大学
31400
limit2022-01-05 17:38
黎明锴：基于二氧化锡
2370
黎明锴：基于二氧化锡
《基于二氧化锡的紫外光电探测器研究》作者：黎明锴，刘伯涵，肖兴林，魏皓然，刘凤新，李强，张兴业，陈粤，何云斌单位：湖北大学材料科学与工程学院
23700
limit2022-01-05 17:27
吴征远：极高响应度与
1800
吴征远：极高响应度与
《极高响应度与增益带宽积的p型氧化镓日盲探测器》作者：吴征远，蒋卓汛，马聪聪，张浩，叶建东，张国旗，康俊勇，张统一，方志来单位：复旦大学信息科学与工程学院、工程与应用技术研究院、南京大学电子科学与工程学院、厦门大学物理科学与技术学院上海大学材料基因组工程研究院
18000
limit2022-01-05 17:22
程其进：氧化镓基日盲
2480
程其进：氧化镓基日盲
《氧化镓基日盲紫外光电探测器的制备及特性研究》作者：程其进，徐翔宇, 陈文山，龚彧亨，陈文澄，张洪良单位：厦门大学电子科学与技术学院，厦门大学化学与化学学院
24800
limit2022-01-05 17:20
王浩敏：厚层六角氮化
1690
王浩敏：厚层六角氮化
《厚层六角氮化硼制备、微观测量与应用》作者：王浩敏，吴天如，贺立，卢光远，时志远单位：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
16900
limit2022-01-05 17:18
刘增：Strategies of
2060
刘增：Strategies of
Strategies of Enhancing Self-powered Performances in Ga2O3-based Heterojunction Photodetectors作者：李山，晏祖勇，刘增，唐为华单位：北京邮电大学理学院，南京邮电大学电子与光学工程学院、微电子学院
20600
limit2022-01-05 17:14
龙世兵：超宽禁带氧化
3430
龙世兵：超宽禁带氧化
《超宽禁带氧化镓半导体功率电子器件和光电探测器》作者：龙世兵，徐光伟，赵晓龙，孙海定单位：中国科学技术大学
34300
limit2022-01-05 17:12
朱昱豪：基于氮化镓金
2680
朱昱豪：基于氮化镓金
《基于氮化镓金属-绝缘层-半导体高电子迁移率晶体管的单片集成DFF-NAND与DFF-NOR电路》作者：朱昱豪，崔苗，李昂，方志成，文辉清，刘雯单位：西交利物浦大学智能工程学院
26800
limit2022-01-05 17:11
汪洋：半导体用SiC涂
1650
汪洋：半导体用SiC涂
《半导体用SiC涂层石墨托盘的制备与国产化》作者：汪洋，万强单位：湖南德智新材料有限公司，南京工业大学材料科学与工程学院
16500
limit2022-01-05 17:09
皮孝东：半导体碳化硅
1510
皮孝东：半导体碳化硅
《半导体碳化硅晶圆生长和单晶加工》作者：皮孝东单位：浙江大学硅材料国家重点实验室
15100
limit2022-01-05 17:02
袁昊：万伏级4H-SiC基
2190
袁昊：万伏级4H-SiC基
《万伏级4H-SiC基IGBT器件设计与制备技术》作者：刘延聪，唐冠南，汤晓燕，袁昊，宋庆文，张玉明单位：西安电子科技大学，中国人民解放军空军工程大学
21900
limit2022-01-05 17:00
陆海：面向复杂电气应
4470
陆海：面向复杂电气应
《面向复杂电气应用环境的高可靠性GaN功率电子器件研究》作者：陆海，张荣，郑有炓单位：南京大学电子科学与工程学院
44700
limit2022-01-05 16:58
刘婷：Suppression of
780
刘婷：Suppression of
Suppression of the Regrowth Interface Leakage Current in AlGaN/GaN HEMTs by Unactivated Mg Doped GaN Layer作者：刘婷, 渡边浩崇 ,新田州吾,王嘉,于国浩,安藤裕二, 本田善央, 天野浩,田中墩之,小出康夫单位：名古屋大学未来材料系统研究所，名古屋大学电子学系，北京化工大学数理学院
7800
limit2022-01-05 16:56
化梦媛：常关型 GaN P
2080
化梦媛：常关型 GaN P
《常关型 GaN PNJ-HEMT 栅极漏电机理及阈值电压稳定性》作者：化梦媛，李玲玲，王成财，姜作衡单位：南方科技大学
20800
limit2022-01-05 16:54
马骋：硅基氮化镓外延
2440
马骋：硅基氮化镓外延
《硅基氮化镓外延材料射频损耗产生机理及其抑制方法》作者：马骋，杨学林，刘丹烁，蔡子东，陈正昊，沈波单位：北京大学物理学院人工微结构与介观物理国家重点实验室
24400
limit2022-01-05 16:53
朱广润：微波毫米波器
2330
朱广润：微波毫米波器
《GaN微波毫米波器件新进展》作者：张凯，朱广润，代鲲鹏，贾晨阳，房柏彤，李传浩，周浩，孙岩，吴立枢，程钰杰，王伟凡，李忠辉，陈堂胜单位：南京电子器件研究所，南京中电芯谷高频器件产业技术研究院有限公司
23300
limit2022-01-05 16:51
刘建勋：大尺寸硅基Ga
2660
刘建勋：大尺寸硅基Ga
《大尺寸硅基GaN射频器件材料外延生长研究》作者：刘建勋，詹晓宁，孙秀建，黄应南，高宏伟，孙钱，杨辉单位：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所，中国科学技术大学纳米技术与纳米仿生学院
26600
limit2022-01-05 16:49
马晓华：面向终端应用
2540
马晓华：面向终端应用
《面向终端应用的GaN射频芯片研究》作者：马晓华代讲：祝杰杰单位：西安电子科技大学
25400
limit2022-01-05 16:45
冯志红：氮化镓高功率
3810
冯志红：氮化镓高功率
《氮化镓高功率太赫兹源》作者：冯志红单位：中国电子科技集团公司第十三研究所
38100
limit2022-01-05 16:38