《18 kV SiC IGBT 的研制》邱宇峰 厦门大学讲座教授 国家电网全球能源互联网研究院

《万伏级4H-SiC基IGBT器件设计与制备技术》作者：刘延聪，唐冠南，汤晓燕，袁昊，宋庆文，张玉明单位：西安电子科技大学，中国人民解放军空军工程大学

今天极智课堂邀请到中国电子科技集团第五十五研究所李士颜博士，分享《从特斯拉用碳化硅代替IGBT说起——碳化硅功率器件之新能源汽车应用及展望》主题报告