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西安电子科技大学王鹏
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西安电子科技大学王鹏
双阈值耦合AlGaN/GaN HEMT中用于优化Ka波段高电场线性度的多指漏极板研究Investigation of multi-fingers drain field plate in dual-threshold coupling AlGaN/GaN HEMTs for optimizing linearity at high electrical field in Ka-bands王鹏飞西安电子科技大学Wang PengfeiXidian University
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guansheng2023-05-22 15:22
山东大学新一代半导体
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山东大学新一代半导体
电流/功率截止频率为135/310 GHz的高性能硅基InAlN/GaN HEMTsHigh-Performance InAlN/GaN HEMTs on Silicon Substrate with fT/fmax of 135/310 GHz 崔鹏山东大学新一代半导体材料研究院研究员CUIPengResearch Fellow of the Institute of Novel Semiconductor of Shandong University
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guansheng2023-05-22 15:20
澳大利亚麦考瑞大学教
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澳大利亚麦考瑞大学教
Scalable nonlinear RF modeling of GaN HEMTs with industry standard ASM-HEMT compact modelSourabh KHANDELWAL澳大利亚麦考瑞大学教授Sourabh KHANDELWALProfessor of Macquarie University, Australia
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guansheng2023-05-22 15:14
中科院宁波材料所戴贻
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中科院宁波材料所戴贻
无等离子体损伤GaN HEMT极化隔离的设计与优化Design and optimization of polarization isolation toward plasma-damage-free GaN HEMT戴贻钧中国科学院宁波材料技术与工程研究所DAI YiyunNingbo Institute of Materials Technology and Engineering, Chinese Academy of Sciences
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guansheng2023-05-22 15:13
中科院苏州纳米所助理
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中科院苏州纳米所助理
功率HEMT的p-GaN栅极可靠性及其加固方法GaN Gate Reliability and Its Reinforcement Techniques in Power HEMTs钟耀宗中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所助理研究员ZHONG YaozongAssistant Professor of Suzhou Institute of Nano-Tech and Nano-Bionics, Chinese Academy of Sciences
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guansheng2023-05-22 15:12
中国科学院北京纳米能
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中国科学院北京纳米能
AlGaN/GaN HEMT能带工程和界面调制AlGaN/GaN HEMT energy band engineering and interface modulation胡卫国中国科学院北京纳米能源与系统研究所研究员HU WeiguoProfessor of Beijing Institute of Nanoenergy and Systems, Chinese Academy of Sciences
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guansheng2023-05-22 15:02
电子科技大学博士陈匡
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电子科技大学博士陈匡
p-GaN Gate HEMT器件阈值稳定性及其机理Study of the Physics of Vth Instability of p-GaN Gate HEMT陈匡黎电子科技大学博士ZHOU QiProfessor of University of Electronic Science and Technology of China
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guansheng2023-05-22 15:02
加拿大滑铁卢大学副教
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加拿大滑铁卢大学副教
RecentProgressoftheMITVirtual-SourceGaNHEMT(MVSG)CompactModelLan WEI加拿大滑铁卢大学副教授Lan WEIAssociate Professor of University of Waterloo, Canada
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guansheng2023-05-22 14:59
芯干线市场总监孔令涛
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芯干线市场总监孔令涛
GaN HEMT与SIC MOSFET在户用储能PCS方向应用优势Advantages in household energy storage PCS using GaN HEMT and SiC MOSFET https://fanyi.baidu.com/?aldtype=85孔令涛--南京芯干线科技有限公司市场总监
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guansheng2023-05-22 13:54
意大利帕多瓦大学Enri
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意大利帕多瓦大学Enri
用于高效能量转换应用的GaN HEMT的深能级效应和可靠性Deep level effects and reliability of GaN HEMTs for high efficiency energy conversion applicationsEnrico Zanoni意大利帕多瓦大学信息工程系教授Enrico ZanoniProfessor of Dipartimento di Ingegneria dellInformazioneUniversit di Padova
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guansheng2023-05-19 08:57
中电科13所高楠：MOCV
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中电科13所高楠：MOCV
MOCVD生长高质量6英寸SiC上GaN HEMT材料高楠，房玉龙*，尹甲运，张志荣，王波，李佳，芦伟立，陈宏泰，牛晨亮中国电子科技集团公司第十三研究所
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guansheng2022-09-01 13:45
中科院宁波材料所郭炜
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中科院宁波材料所郭炜
基于极化调控的GaN HEMT隔离特性研究戴贻钧，郭炜*，陈荔，李晓航，叶继春中国科学院宁波材料技术与工程研究所
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guansheng2022-09-01 12:27
中科院北京纳米所胡卫
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中科院北京纳米所胡卫
压电能带工程和柔性AlGaN/GaN HEMT化麒麟，胡卫国*中国科学院北京纳米能源与系统研究所
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guansheng2022-09-01 12:22
南京大学王海萍:基于
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南京大学王海萍:基于
基于增强型p-GaN HEMT的高性能紫外光电晶体管王海萍，游海帆，陈敦军*，张荣，郑有炓南京大学
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guansheng2022-09-01 12:16
黄火林：GaN基增强型H
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黄火林：GaN基增强型H
《GaN基增强型HEMT器件关键技术》作者：黄火林单位：大连理工大学光电工程与仪器科学学院
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limit2022-01-10 11:07
Hui Guo: NiO/AlGaN i
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Hui Guo: NiO/AlGaN i
NiO/AlGaN interface reconstruction and transport manipulation of p-NiO gated AlGaN/GaN HEMTsAuthor: Hui Guo, Hehe Gong, Xinxin Yu, Rui Wang, Qing Cai, Danfeng Pan, Jiandong Ye, Bin Liu, Dunjun Chen, Hai Lu, Rong Zhang, Youdou Zheng单位/Institute: 南京大学电子科学与工程学院
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limit2022-01-07 11:53
吴千树：肖特基p型栅
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吴千树：肖特基p型栅
《肖特基p型栅结构GaN基HEMTs中Vth的影响机理》作者：吴千树，何亮，张津伟，陈佳，黎城朗，张琦，丘秋凌，刘振兴，周毓昊，吴志盛，贺志远，刘扬单位：中山大学电子与信息工程学院，工业和信息化部电子第五研究所
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limit2022-01-07 11:51
刘婷：Suppression of
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刘婷：Suppression of
Suppression of the Regrowth Interface Leakage Current in AlGaN/GaN HEMTs by Unactivated Mg Doped GaN Layer作者：刘婷, 渡边浩崇 ,新田州吾,王嘉,于国浩,安藤裕二, 本田善央, 天野浩,田中墩之,小出康夫单位：名古屋大学未来材料系统研究所，名古屋大学电子学系，北京化工大学数理学院
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limit2022-01-05 16:56
化梦媛：常关型 GaN P
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化梦媛：常关型 GaN P
《常关型 GaN PNJ-HEMT 栅极漏电机理及阈值电压稳定性》作者：化梦媛，李玲玲，王成财，姜作衡单位：南方科技大学
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limit2022-01-05 16:54
【视频报告 2018】中
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【视频报告 2018】中
中科院半导体研究所所长助理、研究员张韵分享了《III族氮化物基射频HEMT、HBT与滤波器》报告，受限于铌酸锂声速较低(3400-4000 m/s)，商用铌酸锂基声表面波（SAW）滤波器工作频率通常低于3 GHz，难以满足通讯系统频率不断提升的需求，因此基于高声速AlN薄膜(5600-6000 m/s)的高频SAW滤波器成为研究热点。分别在铌酸锂衬底和AlN/蓝宝石衬底上制备出叉指宽度为2 靘的SAW滤波器，铌酸锂SAW滤波器的中心频率为426.7 MHz，而AlN基SAW 滤
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limit2021-04-29 12:20