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中科院苏州纳米所孙钱
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中科院苏州纳米所孙钱
硅基GaN电子器件研究进展孙钱中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
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guansheng2022-09-01 13:42
南京大学周峰：从应
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南京大学周峰：从应
从应用端看GaN功率电子器件面临的关键可靠性难题及器件性能提升方案周峰，徐尉宗，任芳芳，陈敦军，张荣，郑有炓，陆海*南京大学
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guansheng2022-09-01 13:29
中科院苏州纳米所郭小
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中科院苏州纳米所郭小
1200V级硅衬底GaN纵向PiN功率二极管郭小路，钟耀宗，周宇，陈昕，闫书萌，刘建勋，孙秀建，孙钱*，杨辉中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
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guansheng2022-09-01 12:50
中国科学院微电子所金
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中国科学院微电子所金
面向全GaN集成的高性能GaN基增强型p-FET器件研究金昊，蒋其梦*，黄森*，王鑫华，王英杰，戴心玥，樊捷，魏珂，刘新宇中国科学院微电子研究所
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guansheng2022-09-01 12:49
南京大学陈鹏：GaN基
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南京大学陈鹏：GaN基
GaN基肖特基功率器件研究新进展陈鹏*，徐儒，刘先程，梁子彤，殷鑫燕，谢自力，修向前，陈敦军，刘斌，赵红，张荣，郑有炓南京大学
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guansheng2022-09-01 12:38
中科院宁波材料所郭炜
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中科院宁波材料所郭炜
基于极化调控的GaN HEMT隔离特性研究戴贻钧，郭炜*，陈荔，李晓航，叶继春中国科学院宁波材料技术与工程研究所
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guansheng2022-09-01 12:27
中科院北京纳米所胡卫
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中科院北京纳米所胡卫
压电能带工程和柔性AlGaN/GaN HEMT化麒麟，胡卫国*中国科学院北京纳米能源与系统研究所
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guansheng2022-09-01 12:22
南京大学王海萍:基于
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南京大学王海萍:基于
基于增强型p-GaN HEMT的高性能紫外光电晶体管王海萍，游海帆，陈敦军*，张荣，郑有炓南京大学
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guansheng2022-09-01 12:16
江苏第三代半导体研究
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江苏第三代半导体研究
GaN基Micro-LED同质外延及其性能表征王国斌*，闫其昂，周溯沅，李增林，苏旭军，刘宗亮，王建峰，徐科江苏第三代半导体研究院有限公司中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所苏州纳维科技有限公司
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guansheng2022-09-01 11:36
南京大学庄喆：InGaN
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南京大学庄喆：InGaN
InGaN基红光Micro-LED器件研究庄喆*，刘斌，张荣南京大学
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guansheng2022-09-01 11:34
清华大学汪莱：GaN基
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清华大学汪莱：GaN基
GaN基高速蓝绿光Micro-LED研究进展汪莱*，王磊，李振浩，郝智彪，罗毅清华大学
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guansheng2022-09-01 11:30
北京大学陈兆营：面向
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北京大学陈兆营：面向
面向氮化物全彩显示的InGaN基红光Mini/Micro-LED研究陈兆营，盛博文，刘放，李铎，袁泽兴，葛惟昆，沈波，梁文骥，赵春雷，闫龙，Jason Hoo，郭世平，王新强*北京大学
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guansheng2022-09-01 11:23
刘纪美：High perform
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刘纪美：High perform
High performance GaN vertical trench gate MOSFETs刘纪美教授香港科技大学
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limit2022-01-11 17:22
林科闯：大功率 GaN
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林科闯：大功率 GaN
大功率 GaN 蓝绿激光器芯片设计、生长和制作林科闯总经理三安光电股份有限公司
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limit2022-01-10 13:09
Long Yan: Optimizati
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Long Yan: Optimizati
Optimization of AlGaN based UVC LED Structure at Prismo HiT3 Author: Long Yan, Jason Hu, Shangfeng Liu, Xinqiang Wang, Vincent Wang, Shiping Guo Institute: Advanced Micro-fabrication Equipment Inc. (China), Peking University
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limit2022-01-10 12:56
黄火林：GaN基增强型H
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黄火林：GaN基增强型H
《GaN基增强型HEMT器件关键技术》作者：黄火林单位：大连理工大学光电工程与仪器科学学院
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limit2022-01-10 11:07
梅洋：GaN基VCSEL技术
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梅洋：GaN基VCSEL技术
《GaN基VCSEL技术进展》作者：梅洋，许荣彬，应磊莹，龙浩，郑志威，张保平单位：厦门大学电子科学与技术学院
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limit2022-01-10 10:40
刘红辉：光照下AlGaN/
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刘红辉：光照下AlGaN/
《光照下AlGaN/GaN异质结沟道中载流子的输运过程研究》柳月波，刘红辉，邢洁莹，姚婉青，戴雅琼，杨隆坤，王风格，任远，沈俊宇，张敏杰，作者：吴志盛，刘扬，张佰君单位：中山大学电子与信息工程学院
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limit2022-01-07 13:47
张赫朋：室温1.04 mA/
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张赫朋：室温1.04 mA/
《室温1.04 mA/cm2峰值电流密度AlN/GaN双势垒共振隧穿二极管》作者：张赫朋，薛军帅，张进成，郝跃单位：西安电子科技大学微电子学院
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limit2022-01-07 13:34
郑伟：4H-SiC、GaN和
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郑伟：4H-SiC、GaN和
《4H-SiC、GaN和-Ga2O3巴利加优值的巨量退化》作者：程璐，郑伟单位：中山大学材料学院，国家光电材料与技术国家重点实验室
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limit2022-01-07 13:32