Band offsets and solar-blind photoresponse of -Ga2O3/4H-SiC heterojunctionAuthor: Jiaying Shen, Mingfeng Gan, Qingyi Zhang, Yangyong Tao, Zhenping Wu, Weihua TangInstitute: State Key Laboratory of Information Photonics and Optical CommunicationsSchool of Science, Beijing University of Posts and Telecommunications

《升华法生长相Ga2O3厚膜的研究》作者：张文辉，张赫之，梁红伟单位：大连理工大学微电子学院

Electrical Characterization of Vertical -Ga2O3 SBD w/o epi-layerJiaxiang Chen, Haolan Qu, Xing Lu, Xinbo ZouSchool of Information Science and Technology, ShanghaiTech University, School of Electronics and Information Technology, Sun Yat-sen University

《基于NiO/- Ga2O3异质pn结的低漏电JBS二极管研究》作者：徐童龄，罗浩勋，邓郁馨，陈梓敏，裴艳丽，卢星，王钢单位：中山大学电子与信息工程学院光电材料与技术国家重点实验室

《4H-SiC、GaN和-Ga2O3巴利加优值的巨量退化》作者：程璐，郑伟单位：中山大学材料学院，国家光电材料与技术国家重点实验室

《MOCVD异质外延Ga2O3薄膜及其相变的研究》作者：张涛，胡志国，程倩，冯倩，张雅超，张进成单位：西安电子科技大学微电子学院

《亚稳相正交结构-Ga2O3薄膜的异质外延研究》作者：李悦文，修向前，许万里，施佳城，朱宇霞，张荣，郑有炓单位：南京大学电子科学与工程学院

Strategies of Enhancing Self-powered Performances in Ga2O3-based Heterojunction Photodetectors作者：李山，晏祖勇，刘增，唐为华单位：北京邮电大学理学院，南京邮电大学电子与光学工程学院、微电子学院

深紫外线检测技术具有重要的应用，例如紫外线成像，紫外线/红外线双重引导，预警系统，紫外线通讯，紫外线干扰等。中国科学技术

中国科学院微电子研究所研究员龙世兵分享了基于(100) -Ga2O3 单晶的肖特基二极管和MOS电容的研究成果。基于型氧化镓所生产的一些器件在能源使用中发挥着重要的作用。能源使用的安全性是一个重要问题，在自然能源不断减少，价格不断上升的背景下，我们需要找到一个更加有效的方式来利用能源。当前在高电压应用领域，包括高铁和智能电网等，硅仍然是主导材料，但有一定局限性，比如禁带比较窄等。与宽禁带材料相比，有弱势的地方。

山东大学教授陶绪堂做了晶体生长和β-Ga2O3表征的最新进展的报告，分享了在氧化镓晶体生长方面的研究实践及成果。

日本Novel Crystal Technology公司总裁Akito KURAMATA做了用于功率器件的β-Ga2O3晶体块体和外延生长的报告，分享了其最新研究成果。

广西大学杰出教授、台湾大学荣退教授冯哲川分享了关于Ga2O3薄膜的光学和结构特性的研究成果。冯哲川从事于第三代半导体研发已二三十年, 至今编辑出版了半导体及显微结构，多孔硅，碳化硅，III族氮化物(3本)，氧化锌，固态照明及LED 领域的11-本英文专著，