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Yogi Ota: Wide Bandg
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Yogi Ota: Wide Bandg
Wide Bandgap Semiconductor, RD History and Practical Knowledge Prof. Yogi Ota TKK Innovation Laboratory
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limit2022-01-13 09:56
邱宇峰：18 kV SiC IG
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邱宇峰：18 kV SiC IG
《18 kV SiC IGBT 的研制》邱宇峰厦门大学讲座教授国家电网全球能源互联网研究院
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limit2022-01-13 09:54
李晋闽：深紫外 LED
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李晋闽：深紫外 LED
《深紫外 LED 研发及产业化》李晋闽研究员中国科学院半导体研究所
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limit2022-01-13 09:52
徐现刚：碳化硅单晶衬
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徐现刚：碳化硅单晶衬
《碳化硅单晶衬底的研究进展及发展趋势》徐现刚教授山东大学
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limit2022-01-11 17:24
沈波：高质量 AlN 单
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沈波：高质量 AlN 单
《高质量 AlN 单晶衬底和外延薄膜的制备》沈波教授北京大学
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limit2022-01-11 17:23
刘纪美：High perform
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刘纪美：High perform
High performance GaN vertical trench gate MOSFETs刘纪美教授香港科技大学
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limit2022-01-11 17:22
王涛：Selective Epit
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王涛：Selective Epit
Selective Epitaxy: A direct epitaxy approach to achieve a monolithic on-chipintegration of LEDs and HEMTs for micro-display and VLC 王涛教授英国谢菲尔德大学
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limit2022-01-11 10:01
郭浩中：新型 Micro-L
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郭浩中：新型 Micro-L
《新型 Micro-LED 在显示与通信领域的应用》郭浩中教授台湾交通大学
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limit2022-01-11 10:00
徐科：氮化镓单晶材料
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徐科：氮化镓单晶材料
《氮化镓单晶材料的 HVPE 法与液相法生长研究》徐科研究员中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
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limit2022-01-11 09:59
张荣：基于宽禁带半导
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张荣：基于宽禁带半导
基于宽禁带半导体量子结构的物理效应与器件应用张荣教授厦门大学
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limit2022-01-10 13:09
林科闯：大功率 GaN
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林科闯：大功率 GaN
大功率 GaN 蓝绿激光器芯片设计、生长和制作林科闯总经理三安光电股份有限公司
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limit2022-01-10 13:09
郝跃：宽禁带与超宽
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郝跃：宽禁带与超宽
宽禁带与超宽禁带半导体电子器件若干新进展郝跃院士西安电子科技大学
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limit2022-01-10 13:08
Long Yan: Optimizati
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Long Yan: Optimizati
Optimization of AlGaN based UVC LED Structure at Prismo HiT3 Author: Long Yan, Jason Hu, Shangfeng Liu, Xinqiang Wang, Vincent Wang, Shiping Guo Institute: Advanced Micro-fabrication Equipment Inc. (China), Peking University
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limit2022-01-10 12:56
青年论坛圆桌对话
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青年论坛圆桌对话
青年论坛圆桌讨论主持人：徐科特邀嘉宾：于坤山、林瑞梅、陆海、陈凯轩Topic 1：十四五规划下，新型半导体材料的机遇与挑战是什么：Topic 2：宽禁带半导体前沿技术如何高效地产学融合？Topic 3：怎样看待变革性技术中宽禁带半导体的使命？
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limit2022-01-10 12:55
蒋科：宽禁带氮化物半
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蒋科：宽禁带氮化物半
《宽禁带氮化物半导体紫外探测器研究》作者：蒋科，孙晓娟，郭龙，张山丽，陈雨轩，黎大兵单位：中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
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limit2022-01-10 11:08
黄火林：GaN基增强型H
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黄火林：GaN基增强型H
《GaN基增强型HEMT器件关键技术》作者：黄火林单位：大连理工大学光电工程与仪器科学学院
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limit2022-01-10 11:07
俞冬雷：高效P型掺杂
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俞冬雷：高效P型掺杂
《高效P型掺杂镁源特性及外延中应用优劣分析》作者：俞冬雷, 徐昕，王伟，李强强，王宏波，郑锐单位：安徽亚格盛电子新材料有限公司
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limit2022-01-10 10:57
梅洋：GaN基VCSEL技术
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梅洋：GaN基VCSEL技术
《GaN基VCSEL技术进展》作者：梅洋，许荣彬，应磊莹，龙浩，郑志威，张保平单位：厦门大学电子科学与技术学院
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limit2022-01-10 10:40
孙瑞泽：全氮化镓集成
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孙瑞泽：全氮化镓集成
《全氮化镓集成器件与电路的发展与挑战》作者：孙瑞泽，刘超，陈万军，张波单位：电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室，电子科技大学四川省功率半导体技术工程研究中心
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limit2022-01-10 10:39
吴挺竹：利用ALD技术
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吴挺竹：利用ALD技术
《利用ALD技术改善mini-LED的光电与通信性能》作者：卢霆威，赖寿强，潘建华，陈金兰，黄岳，叶方顺，郭浩中，陈忠，吴挺竹单位：厦门大学电子科学系，台湾阳明交通大学光电工程学系
8000
limit2022-01-10 10:28