王蓉:半导体碳化硅材
1150
宁静:范德华外延氮化
2490
刘清:基于SiC厚膜的
1030
李强:hBN薄膜的磁控
870
席鑫:BiVO4和WO3异质
1260
李万俊:超宽带隙氧化
2200
Xu Li:High valley p
1790
欧欣:异质集成氧化镓
1770
方志来:P型氮掺杂β-
2840
黄洪:单晶氧化镓深紫
3140
黎明锴:基于二氧化锡
2370
吴征远:极高响应度与
1800
程其进:氧化镓基日盲
2480
刘增:Strategies of
2030
龙世兵:超宽禁带氧化
3430
朱昱豪:基于氮化镓金
2680
汪洋:半导体用SiC涂
1650
皮孝东:半导体碳化硅
1510
袁昊:万伏级4H-SiC基
2190
陆海:面向复杂电气应
4470