高质量磷化铟和锑化镓衬底制备技术进展及批量生产Progress in Preparation Technology and Batch Production of High Quality InP and GaSb Substrates赵有文珠海鼎泰芯源晶体有限公司董事长ZHAO YouwenChairman of Zhuhai DT Wafer-Tech Co.,lTD

利用高Al组分-(AlGa)2O3缓冲层在蓝宝石衬底上优化生长高质量-Ga2O3厚膜Growth of high quality - Ga2O3 thick film on sapphire by using high Al content - (AlGa)2O3 buffer layer张赫之大连理工大学副教授ZHANG HezhiAssociate professor of Dalian University of Technology

平片蓝宝石衬底上高质量AlN材料MOCVD外延生长High quality AlN growth on flat sapphire at relative low temperature by MOCVD赵德刚中国科学院半导体所研究员ZHAO DegangProfesor of Institute of Semiconductors, CAS

两步法在蓝宝石衬底上生长高质量-Ga2O3厚膜的研究张赫之，张嵩，董增印，张文辉，程丽媛，梁红伟*大连理工大学中国电子科技集团公司第四十六研究所

大尺寸高质量氧化镓单晶生长及性能研究穆文祥，李阳，贾志泰*，陶绪堂山东大学

MOCVD生长高质量6英寸SiC上GaN HEMT材料高楠，房玉龙*，尹甲运，张志荣，王波，李佳，芦伟立，陈宏泰，牛晨亮中国电子科技集团公司第十三研究所

《高质量 AlN 单晶衬底和外延薄膜的制备》沈波 教授 北京大学

《PVT法同质外延生长高质量2英寸Al极性AlN单晶研究》作者：李哲，张刚，雷丹，黄嘉丽，付丹扬，王琦琨，吴亮单位：奥趋光电技术（杭州）有限公司

《液态铟氮化生长高质量氮化铟》作者：李凯，黄增立，刘争晖，徐耿钊，韩厦，陈科蓓，张春玉，宋文涛，徐科单位：中国科学院苏州

《石墨烯驱动的应力工程实现用于深紫外LED的无应变AlN薄膜的高质量外延》作者：常洪亮，魏同波，王军喜，李晋闽单位：中国科学院

中科院半导体所张翔带来了关于石墨烯提升氮化铝核化以及高质量氮化铝薄膜外延层的报告，分享了该领域的研究动态以及研究成果。

上海大学教授，Ultratrend Technologies Inc总裁吴亮分享了大批量工艺制备的高质量氮化铝模板材料表征分析。报告中介绍了使用Ult

北京大学刘放做了题为高质量h-BN薄层和针对III族氮化物外延的缓冲层应用的主题报告，分享了在Al2O3（0001）基底上MBE异位高温退火合成结晶h-BN，晶体h-BN作为Ⅲ族氮化物外延柔性缓冲层的应用的研究成果。

郑州大学物理工程学院院长、教授单崇新介绍了高质量金刚石的CVD生长。金刚石是自然界产生的最坚硬的一种材料，因为它极高的硬度，一直被当做是打磨的工具，切割的工具等，在不同的方面都有应用，日常生活以及工业生产中都能用到金刚石。除了高硬度以外，金刚石还有很多其他独特的特点，很适合当做半导体材料，比如非常高的带隙、电压、非常高的热传导性等，这些特点使得金刚石一直被认为是重要的，也是非常有潜力的下一代半导体器件的原料。把金刚石材料转变成金刚石器件还有很长的路要走，也需要很多高品质的材料，这是非常基本的一步。