基于金属有机化学气相沉积的-Ga2O3薄膜异质外延及其在场效应晶体管中的应用王钢*，陈伟驱，罗浩勋，陈梓敏，卢星，裴艳丽中山大学

基于拓扑半金属的高性能光电探测孙栋北京大学

《金属氧化物/AlGaN/GaN基多异质结深紫外光电探测器》作者：詹腾，孙剑文，伊晓燕，李晋闽单位：中国科学半导体研究所、清华大学

《基于Ag、Mg金属的GaN低吸收欧姆接触研究与光电器件应用》作者：周玉刚，潘赛，郭焱，金楠，许朝军，张荣，郑有炓单位：南京大学电子科学与工程学院

《基于氮化镓金属-绝缘层-半导体高电子迁移率晶体管的单片集成DFF-NAND与DFF-NOR电路》作者：朱昱豪，崔苗，李昂，方志成，文辉清，刘雯单位：西交利物浦大学智能工程学院

《金属双面镜高性能表面等离激元激光器及其物理机制的研究》作者：蒋迪，陶涛，智婷，刘斌，张荣，郑有炓单位：江苏省光电信息功能材料重点实验室、南京邮电大学

随着半导体照明的发展，尤其是室内照明的推进，人们对其效率和显色指数（Color rendering index, CRI）等品质参数等提出了更高的要求。中南大学教授汪炼成做了题为设计制造复合金属等离激元同时提高GaN LED效率和显色指数研究的主题报告。汪炼成科研方向为集成宽禁带半导体器件和系统，在GaN LED 方面有近10年科研经历，近5年以第一/通讯作者发表SCI论文40余篇，引用次数744次，申请专利38项，已授权13项，成功制备性能国内领先、