SiC MOS器件氧化后退火新途径低温再氧化退火技术A new approach of post-oxidation annealing for SiC MOS devices -- the low-temperature re-oxidation annealing technology王德君大连理工大学教授Wang DejunProfessor of Dalian University of Technology

《高温气氛退火对体材料单晶氧化镓晶体质量的研究》作者：武松浩，张逸韵单位：北京理工大学，中国科学院半导体研究所

《溅射中痕量氧气对高温退火AlN模板的极性调节作用》作者：刘志彬，郭亚楠，闫建昌，曾一平，李晋闽，王军喜单位：中国科学院半

《基于高温热退火技术的半极性AlN外延薄膜缺陷演化研究》作者：陈荔，郭炜，林伟，陈航洋，康俊勇，叶继春单位：中国科学院宁波