蓝宝石衬底InGaN基红色LED及MicroLEDInGaN based red LEDs and MicroLEDs on sapphire substrate王新强北京大学教授、北大东莞光电研究院院长WANG XinqiangDean of Dongguan Institute of Opto-electronics, Peking University

利用高Al组分-(AlGa)2O3缓冲层在蓝宝石衬底上优化生长高质量-Ga2O3厚膜Growth of high quality - Ga2O3 thick film on sapphire by using high Al content - (AlGa)2O3 buffer layer张赫之大连理工大学副教授ZHANG HezhiAssociate professor of Dalian University of Technology

平片蓝宝石衬底上高质量AlN材料MOCVD外延生长High quality AlN growth on flat sapphire at relative low temperature by MOCVD赵德刚中国科学院半导体所研究员ZHAO DegangProfesor of Institute of Semiconductors, CAS

两步法在蓝宝石衬底上生长高质量-Ga2O3厚膜的研究张赫之，张嵩，董增印，张文辉，程丽媛，梁红伟*大连理工大学中国电子科技集团公司第四十六研究所

蓝宝石基B0.375GaN/B0.45GaN量子阱结构的激光二极管中n-p电极对于p型电导率的影响 The effect of n-p electrodes upon the p-type conductivity of B0.375GaN/B0.45GaN QW/QB edge emitting laser diode grown over sapphire substrateMussaab I. NIASS郑州大学 Mussaab I. NIASSZhengzhou University

郑州大学教授刘玉怀做了题为氮化铝/蓝宝石模板上六方氮化硼薄膜的有机金属气相外延研究的报告，介绍了多层h-BN膜的表面和结晶度、微观结构和键合结构。h-BN在AlN上的生长模型等研究内容。研究成功证明了通过脉冲模式MOVPE在AlN模板上直接生长单晶多层h-BN，在AlN表面上形成连续和聚结的多层h-BN，提出了初始帽形核的生长模型，然后在AlN上进行h-BN的二维横向生长。

乾照光电目前是国内比较领先的红光制造商，来自乾照光电股份有限公司技术副总监陈凯轩分享了“蓝宝石衬底AlGaInP红光LED外延和芯片制作工艺”报告。他首先介绍了蓝宝石衬底AlGaInP红光LED外延和芯片制作工艺。 此外他表示，目前主流的会议室或者是户外主流使用的显示技术是LED、DLP、LCD三种，这三种显示技术LED是主动式的发光，相对于另外两种被动式的发光，它的对比度，还有它显示效果要更加的优异，现在基本上在户内、户外的显示都是逐步被LED取代。另外一个很重要的区别，DLP、LCD的拼接模块

北京大学教授陈志忠介绍了基于纳米图案蓝宝石衬底通过MOCVD生长蓝绿色LED。陈志忠表示，GaN基青光LED通过低压金属有机物化学气相沉积（MOCVD）生长得到。首先在成核层上进行两步法高温生长GaN模板，接着在模板上生长青光LED，波长为490nm。通......请您在WIFI条件下观看！或下载极智APP收藏反复观看！