氧化镓肖特基二极管热管理研究巩贺贺，周峰，叶建东*，陆海，顾书林，张荣，郑有炓南京大学

GaN基肖特基功率器件研究新进展陈鹏*，徐儒，刘先程，梁子彤，殷鑫燕，谢自力，修向前，陈敦军，刘斌，赵红，张荣，郑有炓南京大学

势垒可调、位错免疫凹槽阳极氮化镓肖特基二极管研究张进成*，党魁，周弘，张涛，赵胜雷，毛维，郝跃西安电子科技大学

基于P区反序掺杂策略的高效碳化硅结势垒肖特基二极管的研究High-Performance 1200 V/ 20 A 4H-SiC JBS Diodes with Retrograde P-Implants Strategy张园览复旦大学Yuan-Lan ZHANGFudan University

《GaN基肖特基功率器件研究新进展》作者：陈鹏单位：南京大学电子科学与工程学院

《肖特基p型栅结构GaN基HEMTs中Vth的影响机理》作者：吴千树，何亮，张津伟，陈佳，黎城朗，张琦，丘秋凌，刘振兴，周毓昊，吴志盛，贺志远，刘扬单位：中山大学电子与信息工程学院，工业和信息化部电子第五研究所

日本德岛大学教授、西安电子科技大学特聘教授敖金平在《用于微波无线电能传输的氮化镓射频肖特基二极管》报告中介绍到：无线电能传输技术是非常有前景的新技术，可以用在各种各样的无线系统，比如无线充电、能量收割、无处不在的电源和建筑物内的电源供应等。在微波无线电能传输系统里，通常采用天线整流电路（rectenna）来完成RF到DC的能量转换。天线整流电路广泛地用到肖特基势垒二极管（SBD）。但是，目前市场上很难找到能在天

深紫外(DUV)和极深紫外(EUV)探测器在光刻、天文监测以及国防预警等诸多领域具有非常广阔的应用前景。在适用于DUV和EUV探测的所有

报告简介：基于深层瞬态光谱学的Al/Ti 4H-SiC肖特基结构缺陷研究 Investigation of Defect Levels of Al/Ti 4H-SiC Schottky Structures byDeep Level Transient Spectroscopy何亚伟 中国科学院半导体研究所 HE Yawei Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences

中国科学院微电子研究所研究员龙世兵分享了基于(100) -Ga2O3 单晶的肖特基二极管和MOS电容的研究成果。基于型氧化镓所生产的一些器件在能源使用中发挥着重要的作用。能源使用的安全性是一个重要问题，在自然能源不断减少，价格不断上升的背景下，我们需要找到一个更加有效的方式来利用能源。当前在高电压应用领域，包括高铁和智能电网等，硅仍然是主导材料，但有一定局限性，比如禁带比较窄等。与宽禁带材料相比，有弱势的地方。