第三代半导体技术MicroLED光电显示世界周佳利晶微电子技术（江苏）有限公司 总经理助理/Micro LED研究院副院长ZHOU JiaLEADSTAR Micro-Crystal Display Corporation(JiangSu)Ltd.

全球产业链顶级智囊汇聚苏州 共议第三代半导体产业新风向第八届国际第三代半导体论坛暨第十九届中国国际半导体照明论坛在苏州盛大召开2月8日，第八届国际第三代半导体论坛（IFWS）第十九届中国国际半导体照明论坛（SSLCHINA）在苏州盛大开幕。在这场被视为全球第三代半导体行业风向标的盛会上，大会主席、全国政协教科卫体委员会副主任、科技部原副部长曹健林，中国科学院院士、浙江大学教授杨德仁，中国科学院院士、南昌大学副校

第三代半导体助力数字能源产业发展The wide bandgap semiconductor boosts the development of digital energy industry于坤山北京世纪金光半导体有限公司副总裁YU KunshanVice President of CENGOL

高性能GaN-on-GaN材料与器件的外延生长High output power and bandwidth of c-plane GaN-on-GaN micro-LED for high-speed visible light communication王国斌江苏第三代半导体研究院研发部负责人WANG GuobinSenior Project ManagerHead of RD Dept of Jiangsu Institute of Advanced Semiconductors

新型MO源及在第三代半导体中的应用Novel MO Sources and Their Applications in Wide Bandgap Semiconductors杨敏江苏南大光电材料股份有限公司首席科学家

宽禁带材料具有非中心对称的晶体结构，因而表现出显著的压电特性，长期以来这些材料中压电极化电荷和半导体特性的耦合过程被忽略。近年来对于压电电子学和压电光电子学的基础及应用研究取得了快速地发展。多种功能材料中的压电电子学和压电光电子学的基本效应得到了系统深入地研究，相关的理论体系得以建立，诸多压电电子学和压电光电子学器件也被设计研发。会上，王中林院士带来了压电学理论与研究成果的分享，报告结合具体的数据

GaN基Micro-LED同质外延及其性能表征王国斌*，闫其昂，周溯沅，李增林，苏旭军，刘宗亮，王建峰，徐科江苏第三代半导体研究院有限公司中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所苏州纳维科技有限公司

第三代半导体碳化硅器件产业化关键技术及发展进展The key technology and development progress of the Wide Band-gap semiconductor silicon carbide device industrialization钮应喜芜湖启迪半导体有限公司研发总监NIU YingxiRD Director of Wuhu Advanced Semiconductor Manufacturing Co.,ltd

第三代半导体紫外探测技术与产业化应用Wide Bandgap Semiconductor Ultraviolet Detection Technology and Industrial Application陆 海--南京大学教授，镓敏光电董事长LU Hai--Professor of Nanjing University, President of GaNo Optoelectronics Inc.

论坛将邀请来自产业链领先企业的专家就各自领域的技术现状、应用趋势与挑战进行了精彩解析，并在论坛中进行《2020新基建风口下第

深圳第三代半导体研究院光电器件研发总监蒋振宇带来了紫外消毒手册解读之紫外消毒设备的精彩主题分享

《长治市第三代半导体紫外LED产业发展规划（2019-2023）》（下称规划）正式发布。《规划》结合当前节能环保紫外LED产业发展现状

第十五届中国国际半导体照明论坛暨2018国际第三代半导体论坛盛大召开

极智报告|浙江大学电气工程学院院长盛况分享《第三代半导体支撑交通强国建设》主题报告。请您点击页面顶端下载极智头条APP，更多精彩学术报告免费看！

国际半导体照明联盟主席、科技部原副部长曹健林首先带来了题为“不忘初心，砥砺奋进，拥抱第三代半导体新时代”的重要报告，高屋建瓴，从全球视角分析了当前第三代半导体发展的时代背景，面临的机遇与挑战，为我们展现了第三代半导体当前的发展状况以及前沿趋势信息。