p-GaN Gate HEMT器件阈值稳定性及其机理Study of the Physics of Vth Instability of p-GaN Gate HEMT陈匡黎电子科技大学博士ZHOU QiProfessor of University of Electronic Science and Technology of China

钙钛矿LED晶体结构稳定性的研究Research on Crystal Structure Stability of Perovskite Light Emitting Diodes谢跃民苏州大学功能纳米与软物质研究院副教授XIE YueminProfessor of Soochow University

钙钛矿中离子迁移的实时观测及其对LED及电池器件稳定性的影响研究Real-time Observation of Ion Migration in Perovskite LED and Its Influence on Device Stability李澄厦门大学微电子与集成电路系副主任 副教授LI ChengAssociate Professor, Department of Microelectronics and Integrated Circuits, Xiamen University

《常关型 GaN PNJ-HEMT 栅极漏电机理及阈值电压稳定性》作者：化梦媛，李玲玲，王成财，姜作衡单位：南方科技大学

周达成授表示，在过去十年中，基于两个宽禁带（WBG）半导体（GaN和SiC）的功率开关器件正在影响功率电子系统，这是由于其良好的工业效用和改善的性能，且比传统的硅基器件的功率损耗低和能量效率高。他表示，通过模拟和实验应力（如电流崩塌和高温反偏），评估了现有......请在WIFI条件下反复观看！