• 中国电子科技集团首席
    SiC功率MOSFET技术及应用进展柏松中国电子科技集团首席专家、宽禁带半导体电力电子器件国家重点实验室主任BAI SongChief Scientist of China Electronics Technology Group Corporation, Director of National Key Laboratory of Wide Bandgap Semiconductor Power Electronic Devices
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    guansheng2023-05-19 09:39
  • 上海科技大学信息学院
    基于氮化镓的CRM图腾柱PFC整流器的无传感器电流过零检测技术王浩宇上海科技大学信息学院长聘副教授、研究员WANG HaoyuAssociate Professor of ShanghaiTech University
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    guansheng2023-05-19 09:09
  • 锦浪科技技术研究中心
    SiC功率器件在光伏逆变器中的应用进展Application progress of SiC power devices in photovoltaic inverters刘保颂锦浪科技技术研究中心总监LIU Baosong Technical director of Ginlong Technologies co.,ltd
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    guansheng2023-05-19 09:07
  • 纳维科技总经理王建峰
    应用于垂直器件的高电导率GaN单晶衬底制HVPE Growth of Bulk GaN with High Conductivity for Vertical Devices王建峰苏州纳维科技有限公司总经理WANG JianfengGeneral Manager of Suzhou Nanowin Science and Technology Co., Ltd
    66700
    guansheng2023-05-18 16:16
  • 厦门通秴科技股份有限
    《高附加值中草药品种及光照系统》High Value Added Medical PlantLED Horiticulture Lighting Systems徐虹厦门通秴科技股份有限公司George XuGeneral Manager of Xiamen Lumigro Technology Co.,Ltd
    13000
    guansheng2023-05-18 11:42
  • 西安电子科技大学郝跃
    中国科学院院士、西安电子科技大学郝跃教授带来了超宽禁带半导体器件与材料的若干新进展 的主题报告;中科院外籍院士、中国科学院北京纳米能源与系统研究所王中林院士带来了第三代半导体中的压电电子学与压电光电子学的主题报告;厦门大学校长张荣教授介绍了氮化物半导体基 Micro-LED显示技术新进展;大会主席、中国科学院半导体研究所李晋闽研究员带来了氮化物深紫外LED光源助力公共卫生安全 的主题报告。几大精彩主题报告,从技
    291500
    guansheng2022-09-10 15:38
  • 陕西科技大学马淑芳:
    基于单根Ga2O3纳米线的深紫外光电探测性能马淑芳*,刘松,韩斌,尉国栋,董浩琰,牛艳萍,郝晓东,许并社陕西科技大学
    67400
    guansheng2022-09-02 16:01
  • 西安电子科技大学张进
    势垒可调、位错免疫凹槽阳极氮化镓肖特基二极管研究张进成*,党魁,周弘,张涛,赵胜雷,毛维,郝跃西安电子科技大学
    64600
    guansheng2022-09-01 12:20
  • 华中科技大学吴峰:基
    基于宽禁带半导体的深紫外发光与探测器件研究吴峰*,戴江南,陈长清华中科技大学
    62100
    guansheng2022-09-01 12:13
  • 西安电子科技大学微电
    SiC 功率MOSFET器件的可靠性研究Development trends and challenges of SiC Power MOSFET device 张艺蒙西安电子科技大学微电子学院教授Yimeng Zhang Professor of School of Microelectronics, Xidian University
    67400
    limit2022-05-01 17:18
  • 欣锐科技董事长吴壬华
    SiC器件在新能源汽车产业中的应用Application of SiC devices in the new energy automobile industry吴壬华深圳欣锐科技股份有限公司董事长WURenhuaChairofthe Board, SHINRY
    57800
    limit2022-05-01 09:54
  • 深圳市易光科技有限公
    应用于新冠杀菌的毫秒级脉冲新型驱动电源New Millisecond-level Pulse Drive Power Applied to the Sterilization of COVID-19吴光敏--深圳市易光科技有限公司董事长WU Guangmin--Chairman of YG Power Supply Co.,ltd
    45700
    limit2022-02-01 16:10
  • 【视频报告 2018】香
    香港科技大学首席刘纪美教授在《Micro-LED显示屏:单片方法的优点和问题》报告中指出,大面积的LED显示器和普通照明应用中的成熟的LED技术很常见。近年来,LED在微显示器上的应用越来越受到人们的关注。与其他现有的微显示技术相比,led在效率、亮度、寿命、温度稳定性和鲁棒性等方面具有优势。最重要的是在明亮的日光下的能见度。
    242500
    limit2021-04-29 12:28
  • 【视频报告 2018】南
    南方科技大学副教授刘召军在《多功能化氮化镓基高分辨率Micro-LED显示器》研究报告。
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    limit2021-04-29 12:28
  • 【视频报告 2018】西
    西安电子科技大学赵子越博士分享了《基于氮化钛源极扩展技术的常关型氟离子处理的AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管(fT/fmax=61GHz/130GHz)》主题报告。他介绍说,在SiC衬底上实现了高性能的栅长为0.1um的常关型薄势垒AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管器件,采用氟离子注入技术并结合氮化钛源极扩展技术实现了高性能的常关型器件,其阈值电压达到0.6V,饱和电流达到845mA/mm@Vgs=3V ,峰值跨导达到412mS/mm,电流截止频率达到61GHz,最大
    131700
    limit2021-04-29 12:21
  • 【视频报告 2018】华
    华中科技大学博士谢斌,做了题为量子点LED封装与热管理的报告,从封装层面提出量子点白光LED的热管理方案,从而在保证光学性能的
    2800
    limit2021-04-29 12:12
  • 【视频报告 2018】香
    封装可靠性的评估是非常重要的环节,会上香港科技大学陶勉做了题为用于封装可靠性评估的热机测试芯片的设计与制备的报告。
    1200
    limit2021-04-29 12:11
  • 【视频报告 2018】港
    集成功率器件与智能控制单元、基于片上系统解决方案的智能功率芯片技术成为未来功率系统的最佳选择。然而,传统的硅功率器件的效率、开关速度以及最高工作温度已逼近其极限,使得宽禁带半导体氮化镓成为应用于功率管理的理想替代材料。香港科技大学教授陈敬做了全GaN功率集成技术的报告,该技术能够实现智能功率集成所需的功率模块和各种控制单元模块。
    90100
    limit2021-04-29 12:06
  • 【视频报告 2018】电
    电子科技大学教授明鑫带来了功率GaN器件驱动技术的报告,分享了该技术领域的最新进展。
    97700
    limit2021-04-29 12:04
  • 【视频报告 2019】湖
    湖北深紫科技有限公司市场技术总监陈景文分享《深紫外UVC-LED杀菌方案深度设计》。
    85800
    limit2021-04-29 11:20
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