台湾科技大学Hung-Wei CHEN分享了《照明光对人体昼夜节律影响之研究》主题报告。Hung-Wei CHEN自从2017年下半年，组建了半年的研究项目。之后，它被选为16个研究单位的50个团队。同年，他加入国立台湾科技大学色彩与照明技术研究所，进入视觉光学实验室，针对广大市民，老年人，患者及其他群体，并采用动态治疗照明，如：睡眠，精神。 ，生活质量等有助于改善这种状况。此外，研究的是AR / VR图像的质量以及对人眼的影响。自2016年

西安卫光科技微晶微电子有限公司总工程师、博士冯 巍 《SiC功率MOSFET封装工艺》

多热阻阵列LED模块的结温监视 Junction Temperature Monitoring of the Multi-LED Module in Service with the Thermal Resistance Matrix李世玮 香港科技大学先进微系统封装中心主任、香港科技大学深圳研究院常务副院长 Shi-Wei.Ricky LEEProfessor and Director of Center for Advanced Microsystems Packaging (CAMP) of Hong Kong University of Science and Technology.

西安电子科技大学教授张金风做了题为金刚石超宽禁带半导体材料和器件新进展的主题报告。她介绍说，金刚石属于新兴的超宽禁带半导体材料，具有禁带宽度大，耐击穿，载流子迁移率高，热导率极高，抗辐照等优点。在热沉，大功率、高频器件，光学窗口，量子信息等领域具有极大应用潜力。报告中介绍了大尺寸金刚石单晶的制备方法最成功的是同质外延的克隆拼接生长方法和在Ir衬底上异质外延的生长方法。她表示，实现室温下高电离率的体掺

华中科技大学能源与动力工程学院院长，中欧清洁与可再生能源学院中方院长罗小兵做了题为量子点LED封装的内部热管理的主题报告。结合具体的实验设计过程，分享了QD-WLED封装的内部热管理成果，报告指出基于静电吸附制备的具有高导热性和发光性能的QD / hBNS复合材料是一种有效的封装内部热管理方法。在QD-WLED中封装内部热量管理可以显著降低其工作温度，然后显著提高其长期工作稳定性。

北京集创北方科技股份有限公司产品经理黄纹纲做了题为Mini LED发展方向与集创解决方案的报告，分享了Mini LED显示与集创解决方案。报告指出，当前，Mini LED存在着功耗与发热、成本高、PCB设计、显示效果等方面的难点。未来技术将向微安级驱动、更高集成度、高速通信接口、整合控制方案、主动式驱动等方向发展。

西安电子科技大学微电子学院院长张玉明：SiC MOSFET高阈值的实现及给应用带来的优势

铭濠科技研发总监余磊：物联智控系统在夜游景观亮化中的应用

英诺赛科科技有限公司董事长骆薇薇分享了硅基氮化镓产业化发展的机遇与挑战。骆薇薇在美国宇航局（NASA）工作了15年，并创办了两

杭州慧亿科技孟楠：UVC LED杀菌模组的优化设计与验证

湖北深紫科技陈景文：深紫外UVC-LED杀菌方案深度设计

极智报告|英飞凌科技香港有限公司市场总监马国伟：CoolSiCTMSiC MOSFET技术、器件和应用 更多精彩报告，敬请点击页面顶端下载极智头条APP。

易美芯光(北京)科技有限公司首席技术官刘国旭博士分享了 如何实现更高光品质与更健康白光LED的主题报告。刘国旭博士表示，高品质白光LED照明体现在舒适性、真实性、安全性、健康性四个方面。即具备优异的视觉舒适性（适当的亮度和亮度均匀性，无闪烁和眩光），高显色性，用眼安全和迎合昼夜节律调节等满足消费者心理和生理健康。从LED封装的角度来说，LED光源应实现更高的显色指数，即光源光谱更接近于太阳光或白炽灯标准光源、光

本期嘉宾华中科技大学教授、博士生导师陈明祥为大家分享《紫外/深紫外LED封装技术与工艺研究》

极智报告|华中科技大学张伟：一种新的AlGaN基深紫外LED光提取效率和可靠性的新方法

国际半导体照明联盟主席、科技部原副部长曹健林首先带来了题为“不忘初心，砥砺奋进，拥抱第三代半导体新时代”的重要报告，高屋建瓴，从全球视角分析了当前第三代半导体发展的时代背景，面临的机遇与挑战，为我们展现了第三代半导体当前的发展状况以及前沿趋势信息。

刘召军于2011年香港科技大学博士毕业，主要从事先进显示技术（Micro-LEDs、微显示、AR/VR等）、第三代半导体电子器件与光电器件集成（氮化镓HEMT、LED集成）等方面的研究。世界上最早从事氮化镓Micro-LED技术的研究者之一，多项研究成果均为世界领先水平。研究成果获2011年香港科技大学“百万港元”创业大赛亚军。现为多家国际高水平学术期刊审稿人、IEEE Member、国际信息显示学会永久会员、国际显示学会北京分会技术委员、广东省公共资源交易评审专家，深圳科技创新委科技专家。刘博士作为项目

丹麦科技大学教授欧海燕SiC白光发射主题报告；报告中指出，碳化硅（SiC）是宽间接带隙半导体，发光效率低。 但这种材料除了丰富之外，还具有非常独特的物理性能，如良好的导热性，高击穿电场等。 因此，研究其发光性能是非常有意义的，以便充分利用这种材料。 在这个演讲中，介绍两种方法，即通过施主-受主对掺杂SiC以及用制造多孔SiC的方法来制造发光的SiC。通过氮与硼共同重掺杂SiC，以证明有强烈的黄光发出。 之后，在优化钝化条件之后，多孔SiC发射强蓝绿色的光也被证明。当发黄光的共掺杂SiC和发蓝绿光的多孔Si

中国电子科技集团公司第十三研究所研究员冯志红介绍了关于解决InAlN/GaN异质结场效应晶体管（HFETs）应用的漏电大和可靠性差的瓶颈问题方法的研究成果。冯志红研究员现任中国电子科技集团公司首席专家，国际电工技术标准委员会专家，研究方向为太赫兹固态电子器件、先进半导体材料与器件。 其中，冯志红表示，氮化镓与氮化铝是非常好的搭配，会带来比较高的功率，相比其他一些结构更加优化，也有很多应用。人们希望可以将氮化镓应用到5G等领域，希望增加输出功率。结合具体的建模分析，冯志红表示，降低延迟，为了获得信号而降低