无等离子体损伤GaN HEMT极化隔离的设计与优化Design and optimization of polarization isolation toward plasma-damage-free GaN HEMT戴贻钧中国科学院宁波材料技术与工程研究所DAI YiyunNingbo Institute of Materials Technology and Engineering, Chinese Academy of Sciences

SiC等离子体波脉冲功率器件与应用研究Research on 4H-SiC Plasma Wave Pulsed Power Devices and its Applications孙乐嘉西安电子科技大学副教授SUN LejiaAssociate Professor of Xidian University

等离子刻蚀技术在第三代化合物半导体领域的应用Application of Plasma Etching Technology in the Third-generation Compound Semiconductor Field谢秋实北京北方华创微电子装备有限公司 第一刻蚀事业部副总经理XIE QiushiDeputy General Manager of NAURA Technology Group Co., Ltd.

钙钛矿中离子迁移的实时观测及其对LED及电池器件稳定性的影响研究Real-time Observation of Ion Migration in Perovskite LED and Its Influence on Device Stability李澄厦门大学微电子与集成电路系副主任 副教授LI ChengAssociate Professor, Department of Microelectronics and Integrated Circuits, Xiamen University

《等离子体密度对ICP-MOCVD生长GaN薄膜的影响》作者：余佳东，罗毅，王健，张子轩，李翔，汪莱，郝智彪单位：北京信息科学与技术

中电科电子装备集团有限公司离子注入机技术总监张丛分享了《国产离子注入机发展及应用》主题报告。

西安电子科技大学赵子越博士分享了《基于氮化钛源极扩展技术的常关型氟离子处理的AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管（fT/fmax=61GHz/130GHz）》主题报告。他介绍说，在SiC衬底上实现了高性能的栅长为0.1um的常关型薄势垒AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管器件，采用氟离子注入技术并结合氮化钛源极扩展技术实现了高性能的常关型器件，其阈值电压达到0.6V，饱和电流达到845mA/mm@Vgs=3V ，峰值跨导达到412mS/mm，电流截止频率达到61GHz，最大