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  • 【视频报告 2018】P.S

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    【视频报告 2018】P.S
    高温、高功率宽带隙半导体要求掌握碳化硅（SiC）等材料的晶体生长过程。今天，SiC是通过气相或液相法生长的，它包括下列过程：反应物的生成、反应物到生长表面的传输、生长表面的吸附、成核和最终晶体生长。GT Advanced Technologies首席技术官P.S. RAGHAVAN分享了《碳化硅衬底技术的最新进展》技术报告，报告中介绍了不同的SiC晶体生长过程以及SiC技术的最新进展。
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    limit2021-04-29 12:25

  • 【视频报告 2018】周

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    【视频报告 2018】周
    美国伦斯勒理工学院的周达成教授分享了《碳化硅功率器件的性能、可靠性和稳健性》；
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    limit2021-04-29 12:25

  • 【视频报告 2018】香

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    【视频报告 2018】香
    矩阵转换器被认为是一种最优异的交流-交流功率转换结构，因为其主要依赖于双向开关而几乎不需要其他被动组件。它不仅提升了能量转换效率，而且可以突破传统的通用逆变器所存在的开关切换速度，工作温度以及电压等级的限制。在此基础下，新型碳化硅（SiC）组件以及先进功率器件封装的应用将带来新一代矩阵转换器的重大发展与变革。香港应用科技研究院功率器件组总监袁述分享了《新一代碳化硅矩阵变换器》主题报告，报告中回顾矩阵转
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    limit2021-04-29 12:25

  • 【视频报告 2019】河

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    【视频报告 2019】河
    河北工业大学教授张紫辉带来了题为基于氮化物半导体和碳化硅光电子器件的仿真与分析的精彩报告，介绍基于氮化物半导体和SiC材料光电子器件仿真与分析的最新结果。 研究通过极化调制、掺杂调控等手段适当调节载流子的能量以改善AlGaN基深紫外发光二极管(DUV LED) 载流子的注入效率，通过局部调控掺杂类型改善了DUV LED的电流扩展，并揭示了器件机理；此外，针对GaN基核/壳LED以及Micro-LED的器件物理进行了详细研究，系统探究了各种
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    limit2021-04-29 10:46

  • 美国Aymont Technolog

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    美国Aymont Technolog
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    limit2020-03-19 11:29

  • 【视频报告 2019】天

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    【视频报告 2019】天
    报告嘉宾：北京天科合达半导体股份有限公司副总经理兼技术总监刘春俊博士 报告主题：《大尺寸碳化硅单晶生长研究及产业进展》
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    limit2020-03-19 10:27

  • 【视频报告】俄罗斯ST

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    【视频报告】俄罗斯ST
    碳化硅生长和衬底建模以及基于MOVPE技术的氮化镓生长模拟 Modeling of SiC crystal growth and epitaxy and simulation of GaN metal Organic Vapor DepositionAndrey SMIRNOV俄罗斯STR Group, Inc.资深研发工程师 Andrey SMIRNOVSenior Research Engineer of STR Group, Inc., Russia
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    limit2020-03-10 15:45

  • 【视频报告】厦门大学

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    【视频报告】厦门大学
    报告简介单晶4H型碳化硅台阶生长机理 The step growth mechanism for 4H-SiC with Improved Single Polytypes林伟厦门大学副教授 LINWeiAssociate Professor of Xiamen University
    226100
    limit2020-03-08 10:21

  • 美国NAURA-Akrion, In

    21220

    美国NAURA-Akrion, In
    美国NAURA-Akrion, Inc.首席技术官Ismail I. KASHKOUSH分享了基于碳化硅器件制造的先进化学浓度控制技术的研究成果。在传统的MEMS制备中，相对惰性化合物（比如Si3N4）通常用于刻蚀停止或者制备衬底中的掩膜。然而这种材料需要了解刻蚀对于衬底的选择性。对于过去的20年，研究发现碳化硅（SiC）因为其化学性质比较惰性已经可以作为传统批量微加工刻蚀停止的替代物。包括燃料雾化器，压力传感器和微型模具等MEMS应用中可以使用典型
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    limit2019-12-31 13:02

  • Victor VELIADIS教授

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    Victor VELIADIS教授
    2018年10月23日下午，第十五届中国国际半导体照明论坛（SSLCHINA 2018）暨2018国际第三代半导体论坛（IFWS 2018）开幕大会在深圳会展中心隆重召开。大会以创芯聚智 共享生态为主题，吸引了来自海内外半导体照明，第三代半导体及相关领域的专家学者、企业领袖、行业机构领导以及相关政府官员的积极参与，共同论道产业发展。 本届论坛由国家半导体照明工程研发及产业联盟（CSA）、第三代半导体产业技术创新战略联盟（CASA）、深圳市
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    limit2018-12-01 12:43

  • |香港应科院高级经理

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    |香港应科院高级经理
    极智报告|香港应用科技研究院有限公司高级经理刘学超：碳化硅MOSFET在新能源汽车中的应用报告。更多专业报告，点击页面顶端下载极智头条APP.
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    limit2018-11-30 12:45

  • 【极智课堂】李士颜：

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    【极智课堂】李士颜：
    今天极智课堂邀请到中国电子科技集团第五十五研究所李士颜博士，分享《从特斯拉用碳化硅代替IGBT说起——碳化硅功率器件之新能源汽车应用及展望》主题报告
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    limit2024-11-23 20:29

  • 极智报告|国家电网全

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    极智报告|国家电网全
    所有的技术都有一个发展过程，尤其对于电网来说，它要求的高电压大电流，它的可靠性要求三十年甚至四十年。国家电网全球能源互联网研究院功率半导体研究所副总工程师杨霏介绍了碳化硅材料和电力器件在电网当中的应用。其中对电网整体对材料的要求，材料部分的需求和装备的国内国际进展进行了细致介绍。他表示，预期到2025年左右，十千伏十安的全控型的模块应当是可以达到应用水平，这样的话就是直流输电的话，灵活直流输电可能要突破五百千伏到八百千伏的水平，到2050年碳化硅三十千伏五千的应该可以达到应用水平，这样来说对电网的预期是整
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    limit2024-11-23 20:29

  • 极智访谈|泰科天润总

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    极智访谈|泰科天润总
    泰科天润半导体科技（北京）有限公司（以下简称“泰科天润”）是中国碳化硅（SiC）功率器件产业化的倡导者之一，致力于中国半导体功率器件制造产业的发展，并向全球功率器件消费者提供优质的半导体功率器件产品和专业服务。 作为国内唯一一家碳化硅研发生产和平台服务型公司，泰科天润目前在北京已建成国内第一条完整的4～6寸碳化硅器件量产线，可在SiC外延上实现半导体功率器件的制造工艺。 泰科天润的产品线涉及基础核心技术产品、碳化硅成型产品以及多套行业解决方案。公司基础核心产品以碳化硅肖特基二极管为代表，其中6
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    limit2024-11-23 20:29

  • 极智报告|美国伦斯勒

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    极智报告|美国伦斯勒
    周达成授表示，在过去十年中，基于两个宽禁带（WBG）半导体（GaN和SiC）的功率开关器件正在影响功率电子系统，这是由于其良好的工业效用和改善的性能，且比传统的硅基器件的功率损耗低和能量效率高。他表示，通过模拟和实验应力（如电流崩塌和高温反偏），评估了现有......请在WIFI条件下反复观看！
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    limit2024-11-23 20:29

  • 极智报告|美国Wolfspe

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    极智报告|美国Wolfspe
    美国Wolfspeed 电力设备研究科学家Jon ZHANG教授带来“碳化硅功率器件的现状与展望”主题报告。Jon ZHANG教授表示，功率半导体器件是电力电子系统的重要组成部分，其决定了能量调节系统的效率、尺寸和成本。功率器件的进步革新了电力电子系统。针对不同的应用，如今的商业市场提供了广泛的电子器件。在所有类型的电力器件中，IGBTs和FRDs是目前是分立器件和功率模块中最常用的组件。尽管有这些优势，Si 功率器件正在接近他们的性能极限。
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    limit2024-11-23 20:29

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